[发明专利]阵列基板及制作方法、触控显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

呈矩阵排列的多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；

第一绝缘层，位于所述薄膜晶体管之上；

触控走线层，位于所述第一绝缘层之上，所述触控走线层包括多条触控走线；

平坦化层，覆盖在所述触控走线层之上；

公共电极层，位于所述平坦化层之上，所述公共电极层包括多个公共电极块，每个所述公共电极块连接一条或多条所述触控走线，所述公共电极块复用做触控感测电极；

第二绝缘层，位于所述公共电极层之上；

像素电极层，位于所述第二绝缘层之上，包括多个像素电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层包括第一过孔，所述公共电极块通过所述第一过孔与所述触控走线连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层包括第一过孔，所述公共电极块直接通过所述第一过孔与所述触控走线连接。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层包括第二过孔和第三过孔，所述第二过孔与所述第一过孔相对设置，且所述公共电极块通过所述第一过孔、第二过孔和第三过孔与所述触控走线连接。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

多条沿第一方向延伸的扫描线，所述扫描线与所述薄膜晶体管的栅极位于同一层；

多条数据线，与所述薄膜晶体管的源极、漏极位于同一层，所述多条数据线沿第二方向延伸，且所述第一方向和第二方向交叉，所述触控走线的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层包括第一开槽，所述第一开槽的长度在所述第一方向上从一薄膜晶体管的漏极延伸到相邻的薄膜晶体管的漏极。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开槽贯穿所述平坦化层及第一绝缘层；

所述公共电极层沿所述第二方向延伸到所述第一开槽内与所述触控走线连接；

在第一开槽内，仅触控走线上方覆盖有公共电极层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二绝缘层同时覆盖在所述第一开槽的底部；

所述第二绝缘层还包括第四过孔，所述第四过孔贯穿所述第二绝缘层，所述第四过孔位于所述第一开槽区域内的漏极的正上方；

所述像素电极层沿所述第一方向延伸到所述第四过孔内与所述漏极连接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于：

每个所述像素电极包括至少两根条状电极，所述条状电极沿第二方向延伸。

10.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：

相邻的两个薄膜晶体管构成一个薄膜晶体管组，所述薄膜晶体管组中的两个漏极对应于同一个第一开槽。

11.根据权利要求1~10任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层的材质为有机膜层。

12.根据权利要求1~10任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层的厚度为0.5μm~6μm。

13.根据权利要求1~10任一项所述的阵列基板，其特征在于，制成所述第一绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅。

14.根据权利要求1~10任一项所述的阵列基板，其特征在于，制成所述第二绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅。

15.根据权利要求1-10任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括有源层，所述有源层材料为非晶硅或低温多晶硅。