[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种在等离子体处理装置的处理容器内，从具有由氧化硅构成的氧化区域的被处理体有选择地蚀刻该氧化区域的蚀刻方法，其特征在于，包括：

在所述处理容器内，生成含有氢、氮和氟的气体的等离子体，使所述氧化区域变质而形成变质区域的步骤；和

在所述形成变质区域的步骤之后，通过在所述处理容器内对所述被处理体照射二次电子而除去所述变质区域的步骤，在该步骤中，在所述处理容器内生成包括阳离子的等离子体且对所述等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压，由此使所述阳离子与该上部电极碰撞，使得从该上部电极放出所述二次电子。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述形成变质区域的步骤中，生成含有H2、N2和NF3的气体或者含有NH3和NF3的气体的等离子体。

3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述除去变质区域的步骤中，在所述处理容器内生成不活泼气体的等离子体。

4.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述形成变质区域的步骤和所述除去变质区域的步骤反复多次。

5.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述被处理体还包括由氮化硅构成的氮化区域，

在所述除去变质区域的步骤之后，还包括：

在所述氮化区域上，形成比形成于所述氧化区域上的保护膜厚的保护膜的步骤，在该步骤中，将所述被处理体暴露于碳氟化合物气体的等离子体中；

蚀刻所述氧化区域的步骤，在该步骤中，将所述被处理体暴露于碳氟化合物气体的等离子体中，

在所述形成保护膜的步骤中对载置所述被处理体的载置台供给的高频偏置电力，小于在对所述氧化区域进行蚀刻的步骤中对所述载置台供给的高频偏置电力，

在所述形成保护膜的步骤中，所述被处理体的温度设定为60℃以上250℃以下的温度。

6.如权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述形成保护膜的步骤中，不对所述载置台供给高频偏置电力。

7.如权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述氮化区域被埋入所述氧化区域内，

所述形成保护膜的步骤和所述蚀刻氧化区域的步骤，在通过所述形成变质区域的步骤和所述除去变质区域的步骤而使所述氮化区域露出之后进行。

8.如权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述形成保护膜的步骤中，作为所述碳氟化合物气体能够使用含有C4F6、C4F8和C6F6中的至少一种的气体。

9.如权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述形成保护膜的步骤和所述蚀刻氧化区域的步骤交替反复进行。

10.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述除去变质区域的步骤之后，还包括：

将所述被处理体暴露于含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的步骤，在该步骤中，蚀刻所述氧化区域且在该氧化区域上形成含有碳氟化合物的堆积物；和

利用所述堆积物中所含有的碳氟化合物的自由基蚀刻所述氧化区域的步骤，

所述将被处理体暴露于碳氟化合物气体的等离子体的步骤和所述利用碳氟化合物的自由基蚀刻所述氧化区域的步骤交替反复进行。