[发明专利]蚀刻方法

说明书

本发明不降低生产量地有选择地蚀刻由氧化硅构成的区域。本发明提供一种在等离子体处理装置的处理容器内从具有由氧化硅构成的氧化区域的被处理体有选择地蚀刻该氧化区域的方法。该方法包括：(a)在处理容器内，生成含有氢、氮和氟的气体的等离子体，使上述氧化区域变质而形成变质区域的步骤；和(b)在形成变质区域的步骤之后，通过在处理容器内对被处理体照射二次电子而除去变质区域的步骤，在该步骤中，通过在处理容器内生成具有阳离子的等离子体且对等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压，由此使阳离子与该上部电极碰撞，使得从该上部电极放出二次电子。

技术领域

本发明的实施方式涉及蚀刻方法。

背景技术

在半导体器件的制造中，有时进行将被处理体的一部分区域有选择地除去的处理。例如作为从被处理体有选择地除去氧化硅膜的方法，已知有下述的专利文献1中所记载的方法。

在专利文献1中所记载的方法中，通过在化学处理腔室内使HF和NH3与氧化硅反应，生成(NH4)2SiF6。即，通过该反应，氧化硅膜的表面变质。接着，将被处理体搬送至与化学处理腔室不同的热处理腔室，在该热处理腔室内对被处理体进行加热，由此，使变质的区域的(NH4)2SiF6热分解。在专利文献1中记载的处理中，通过这样的变质和热分解有选择地除去氧化硅膜。另外，在专利文献2中，记载有：通过含有NH3和NF3的气体的等离子体，使含碳膜变质，通过热分解将变质的区域除去的处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2007-515074号公报

专利文献2：日本特表2013-503482号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

在上述专利文献1中所记载的方法中，为了通过热处理除去变质的区域，在化学处理腔室内使氧化硅膜的表面变质之后，有时需要将该被处理体从化学处理腔室搬送至热处理腔室。因此，在专利文献1中所记载的方法中，被处理体的处理生产量降低搬送被处理体的量，其结果，生产率降低。

因此，该技术领域中要求能够不降低生产量地有选择地蚀刻由氧化硅构成的区域的蚀刻方法。

用于解决技术问题的技术方案

在一个方面中，提供一种在等离子体处理装置的处理容器内从具有由氧化硅构成的氧化区域的被处理体有选择地蚀刻该氧化区域的方法。该方法包括：(a)在处理容器内，生成含有氢、氮和氟的气体的等离子体，使上述氧化区域变质而形成变质区域的步骤(以下，称为“步骤(a)”)，和(b)在形成变质区域的步骤之后，通过在处理容器内对被处理体照射二次电子而除去变质区域的步骤，在该步骤中，通过在处理容器内生成具有阳离子的等离子体且对等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压，由此使阳离子与该上部电极碰撞，使得从该上部电极放出二次电子的步骤(以下，称为“步骤(b)”)。在一个方式的步骤(a)中，可以生成含有H2、N2和NF3的气体或者含有NH3和NF3的气体的等离子体。在一个方式的步骤(b)中，可以在处理容器内生成不活泼气体的等离子体。另外，在一个方式中，步骤(a)和步骤(b)可以反复多次。