[发明专利]利用后通孔工艺的3D衬底上晶圆上芯片结构

权利要求书

1.一种封装件，包括：

第一重分布层，设置在第一半导体衬底的第一侧上；

第二重分布层，设置在第二半导体衬底上，其中，所述第一重分布层接合至所述第二重分布层；

第一导电元件，设置在所述第一重分布层和所述第二重分布层中；

第一通孔，从一个或多个所述第一导电元件延伸穿过所述第一半导体衬底至与所述第一侧相对的所述第一半导体衬底的第二侧，所述第一通孔的至少第一个与设置在所述第一重分布层中的一个所述第一导电元件接触，并且其中，所述第一通孔的至少第二个与设置在所述第二重分布层中的一个所述第一导电元件的接触；以及

第一间隔件，插入在所述第一半导体衬底和所述第一通孔之间，并且每个所述第一间隔件从相应的一个所述第一导电元件延伸穿过所述第一半导体衬底。

2.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一通孔的至少一个与所述第一重分布层中的所述第一导电元件的第一个以及所述第二重分布层中的所述第一导电元件的第二个均接触。

3.根据权利要求1所述的封装件，还包括：

模塑料，设置在所述第二重分布层上方以及所述第一重分布层和所述第一半导体衬底周围。

4.根据权利要求3所述的封装件，还包括：

第二通孔，邻近所述第一半导体衬底并且从一个或多个所述第一导电元件延伸穿过所述模塑料。

5.根据权利要求4所述的封装件，其中，所述第一通孔延伸穿过所述第一重分布层的至少一部分，并且其中，所述第二通孔延伸穿过所述第二重分布层的至少一部分。

6.根据权利要求3所述的封装件，还包括：

顶部重分布层，形成在所述第一半导体衬底的所述第二侧上方，所述顶部重分布层具有设置在一个或多个介电层中的第二导电元件，并且其中，所述第一通孔的每个均与所述第二导电元件的相应一个电接触。

7.根据权利要求3所述的封装件，其中，所述模塑料的第一部分在所述第一半导体衬底的所述第二侧上方延伸，并且其中，所述第一通孔延伸穿过所述模塑料的第一部分。

8.一种封装件，包括：

第一衬底，具有设置在所述第一衬底的第一侧上的第一重分布层，所述第一重分布层具有设置在所述第一重分布层中的一个或多个第一导电元件；

管芯，具有第二衬底和设置在所述第二衬底的第一侧上的第二重分布层，所述第二重分布层具有设置在所述第二重分布层中的一个或多个第二导电元件，其中，所述第一重分布层接合至所述第二重分布层；

模塑料，设置在所述第一重分布层上方和所述管芯上方，所述模塑料的第一部分在所述第二衬底的与所述第一侧相对的第二侧上方延伸；

间隔件，设置在所述第二衬底中，每个所述间隔件从所述第二衬底的至少所述第一侧延伸穿过所述模塑料的第一部分；以及

通孔，延伸穿过所述模塑料的第一部分并且延伸穿过所述第二衬底，每个所述通孔与所述一个或多个第一导电元件或者所述一个或多个第二导电元件的至少一个接触，每个所述通孔通过所述间隔件的相应一个与所述第二衬底电绝缘，所述通孔的至少第一个与设置在所述第一重分布层中的一个所述第一导电元件接触，并且其中，所述通孔的至少第二个与设置在所述第二重分布层中的一个所述第二导电元件的接触。

9.根据权利要求8所述的封装件，其中，每个所述通孔的下部延伸穿过所述第二重分布层的一部分并且延伸穿过所述第二衬底至所述模塑料的第一部分内；

其中，每个所述通孔的上部设置在所述模塑料的第一部分中；以及

其中，每个所述通孔的上部具有大于所述通孔的相应一个的所述下部的宽度。

10.根据权利要求9所述的封装件，还包括：

第三重分布层，设置在所述模塑料上，所述第三重分布层具有设置在所述第三重分布层中的第三导电元件，每个所述第三导电元件与所述通孔的相应一个电接触。