[发明专利]化合物磷酸锂铯非线性光学晶体及制备方法和用途有效
| 申请号： | 201510233375.7 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN106192005B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 潘世烈;李琳;韩树娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00;C30B28/02 |
| 代理公司： | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所65106 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 磷酸 非线性 光学 晶体 制备 方法 用途 | ||
1.一种化合物磷酸锂铯非线性光学晶体，其特征在于该晶体的分子式为LiCs2PO4，分子量367.7，非中心对称，空间群Cmc21，属正交晶系，晶胞参数 a=5.813(5) Å， b=12.016(10) Å，c=8.035(7) Å，Z=4, V=561.2(8)Å3。
2.根据权利要求1所述的化合物磷酸锂铯非线性光学晶体的制备方法，其特征在于采用固相反应合成化合物，提拉法、泡生法或坩埚下降法生长晶体，具体操作按下列步骤进行：
a、将含铯为Cs2O、Cs2CO3或CsF，含锂为Li2O、Li2CO3、LiNO3、LiOH或LiF和含磷化合物为NH4H2PO4,(NH4)2HPO4或P2O5按摩尔比Cs:Li:P = 2:1:1称取放入研钵中，混合并仔细研磨，装入刚玉坩埚，放入马弗炉中，缓慢升温至400℃，恒温12小时，尽量将气体排干净，待冷却后取出坩埚，将样品研磨均匀，再置于坩埚中，将马弗炉升温至540℃，恒温48小时后将样品取出，放入研钵中捣碎研磨即得磷酸锂铯化合物单相多晶粉末，再对该多晶粉末进行X射线分析，所得X射线谱图与成品LiCs2PO4单晶研磨成粉末后的X射线谱图是一致的；
b、将步骤a化合物磷酸锂铯在坩埚中加热到熔化，在温度700℃－750℃，恒温4-15h，再降温至670℃-680℃，得到磷酸锂铯熔体；
c、制备磷酸锂铯籽晶：将步骤b得到的磷酸锂铯熔体以温度0.5-10℃/h的速率缓慢降至室温，自发结晶获得籽晶；
d、在化合物熔体表面或熔体中生长晶体：将放有步骤b制得的磷酸锂铯熔体的坩埚置于单晶炉中，将步骤c得到的籽晶固定在籽晶杆上，降至温度650℃-660℃，从单晶炉顶部放入籽晶，先预热30-60分钟，再使籽晶和液面接触或浸泡在熔体中，恒温30-60分钟；
e、再以温度1-5℃/天的速率缓慢降温，0-60rpm转速旋转籽晶杆，0-15mm/h的速度向上提拉生长晶体；
f、待晶体生长到所需尺寸后，将晶体提离液面，并以温度1-20℃/h速率降至室温，然后将晶体从单晶炉中取出，即可得到LiCs2PO4非线性光学晶体。
3.根据权利要求1所述的磷酸锂铯非线性光学晶体在制备光通信元件，倍频发生器，上、下频率转换器或光参量振荡器中的用途。
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