[发明专利]用于半导体结构的体极接点布局

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

多个栅极，其被设置在半导体层上，每个栅极在坐标空间中平行于y轴进行延伸；

源极区域，其被设置在所述多个栅极中的两个栅极之间；

多个体极接点，其被设置在每个源极区域中；以及

其中每个源极区域的相邻所述栅极的部分具有平行于所述y轴而延伸的宽度，其比在x轴上与所述栅极相距一段距离处的所述源极区域平行于所述y轴的宽度还大。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个体极接点的每个体极接点具有侧边，其在所述半导体层的工作表面之处构成多边形或是经修改的多边形的形状。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中所述多边形或是所述经修改的多边形具有侧边，其相对所述多个栅极之一栅极的侧边是倾斜的。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其中所述多边形是以下中的一者：五边形、六边形、八边形、星形或是四边形。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中所述四边形包括平行四边形及梯形。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中所述平行四边形包括方形及矩形。

7.如权利要求2所述的半导体结构，其中所述经修改的多边形是具有至少一经修改的角落、侧边、或是两者的多边形。

8.如权利要求2所述的半导体结构，其中所述经修改的多边形实质是圆形。

9.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述多个体极接点的每个体极接点具有的侧边被定向为与所述多个栅极之一栅极的侧边偏离了介于5度到85度之间的角度偏差。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述半导体结构是内含在电晶管中。

11.一种半导体电路，其包括：

多个场效电晶管FET；

第一FET驱动器，其耦接至所述多个FET的第一FET；以及

第二FET驱动器，其耦接至所述多个FET的第二FET，

其中所述多个FET中的至少一FET包含：

多个栅极，其被设置在半导体层上，每个栅极在坐标空间中平行于y轴进行延伸；

源极区域，其被设置在所述多个栅极中的两个栅极之间；以及

多个体极接点，其被设置在每个源极区域中，其中每个体极接点具有平行于所述y轴而延伸的宽度，随着所述体极接点从大约所述体极接点的中心接近所述多个栅极的栅极，所述宽度会减小。

12.如权利要求11所述的半导体电路，其中所述多个体极接点的每个体极接点具有侧边，其在所述半导体层的工作表面之处构成多边形或是经修改的多边形的形状。

13.如权利要求12所述的半导体电路，其中所述多边形或是经修改的多边形具有相对所述多个栅极的栅极的侧边为倾斜的侧边。

14.如权利要求12所述的半导体电路，其中所述多边形是以下中的一者：五边形、六边形、八边形、星形或是四边形。

15.如权利要求14所述的半导体电路，其中所述四边形包括平行四边形及梯形。

16.如权利要求15所述的半导体电路，其中所述平行四边形包括方形及矩形。

17.如权利要求12所述的半导体电路，其中所述经修改的多边形是具有至少一经修改的角落、侧边、或是两者的多边形。

18.如权利要求12所述的半导体电路，其中所述经修改的多边形实质是圆形。