[发明专利]用于半导体结构的体极接点布局

说明书

本发明提供一种用于半导体结构的体极接点布局，在至少一范例实施例中，一种半导体结构包括：多个栅极，其被设置在半导体层上，每个栅极是在坐标空间中平行于y轴进行延伸；源极区域，其被设置在所述多个栅极中的两个之间；多个体极接点，其被设置在每个源极区域中；并且其中每个源极区域的相邻所述栅极的部分具有平行于所述y轴而延伸的宽度，其比在x轴上与所述栅极相距一段距离处的所述源极区域平行于所述y轴的宽度还大。

技术领域

本发明是有关于一种用于半导体结构的接点布局。

相关申请案的交互参照。

此申请案是主张2014年5月12日申请的美国临时专利申请案序号61/992,115以及2014年6月3日申请的美国临时专利申请案序号62/007,080的优先权，所述美国临时专利申请案是被纳入在此作为参考。

背景技术

一种用于金属氧化物半导体场效电晶管(MOSFET)的习知接点布局(Contactlayout)是由一体极接点(Body contact)的条带(stripe)所组成，其在所述体极接点的两侧上具有一源极接点的条带，并且所述源极接点的条带是平行于所述体极接点的条带。一多晶硅的条带是被设置在每个源极接点的条带的外侧，并且一漏极接点是被设置在每个多晶硅的条带的外侧。因此，一习知的接点布局是由平行的多晶硅、源极、体极、源极、以及多晶硅的条带所组成，其在两侧具有一漏极。

为了缩减所述接点区域的尺寸，一种接点布局是由两个平行的多晶硅的条带以及介于所述两个平行的条带之间的多个方形体极接点孔洞所组成的。每个方形体极接点孔洞是被定向成使得每个方形体极接点孔洞的侧边中的两个侧边是平行于所述多晶硅的条带。源极接点区域亦被设置在所述平行的多晶硅的条带之间，并且位于相邻的方形体极接点孔洞之间。

发明内容

在一实施例中，一种半导体结构被揭示。所述半导体结构包含多个多晶硅区域，其被设置在一半导体层中；一源极区域，其被设置在所述多个多晶硅区域之间；以及多个体极接点孔洞，其被设置在所述源极区域中。所述多个体极接点孔洞的每个体极接点孔洞是具有在所述半导体层的一工作表面之处构成一多边形的形状的侧边，并且其中所述多边形是相对所述多晶硅区域中的一多晶硅区域的一实质平的表面为倾斜的。

附图说明

了解到图式是仅描绘范例实施例，并且因此在范畴上并不被视为限制性的，所述范例实施例将会透过所附的图式的使用，以额外的特定性及细节来加以描述，其中：

图1是一种用于半导体结构的强化的效能的改善的体极接点布局的一范例实施例的立体图。

图2至11是用于半导体结构的强化的效能的改善的体极接点布局的范例实施例的俯视图。

图12是一种可被利用以实施本发明内容的改善的体极接点布局中的一或多个体极接点布局的范例的半导体电路的方块图。

图13是一种用于形成体极接点的范例的方法的流程图。

根据常见的实务，所述的各种特点并未按照比例绘制，而是被绘制以强调相关于所述范例实施例的特定特点。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本发明进行详细描述。