[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201510236824.3 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN104934482B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 袁广才;闫梁臣;徐晓光;王磊;彭俊彪;兰林锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
在透明基板上，通过构图工艺形成半导体有源层的图案；其中所述半导体有源层的图案包括硼化镧图案，半导体有源层包括硼化镧薄膜层；
所述半导体有源层为多层薄膜层堆叠而成，所述硼化镧薄膜层位于多层薄膜层堆叠结构的中间层；
所述多层薄膜层堆叠结构中的其他薄膜层采用金属氧化物半导体；
所述硼化镧薄膜层为半导体层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积法的成膜工艺，在所述透明基板上制备硼化镧薄膜层；所述成膜工艺中的制备压强为0.02pa～0.5pa；
在所述硼化镧薄膜层的表面涂覆一层光刻胶；
对所述光刻胶进行通过掩膜、曝光、显影工艺，露出部分硼化镧薄膜层的表面；
对所述光刻胶未覆盖的所述硼化镧薄膜层进行刻蚀，从而形成所述硼化镧薄膜层的图案。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述硼化镧图案的厚度为10nm～500nm。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述硼化镧图案的载流子浓度为1015cm-3-1018cm-3。
5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制备方法。
6.一种薄膜晶体管，包括半导体有源层的图案，其特征在于，所述半导体有源层的图案包括硼化镧图案，半导体有源层包括硼化镧薄膜层；
所述半导体有源层为多层薄膜层堆叠而成，所述硼化镧薄膜层位于多层薄膜层堆叠结构的中间层；
所述多层薄膜层堆叠结构中的其他薄膜层采用金属氧化物半导体；
所述硼化镧薄膜层为半导体层。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述硼化镧图案的厚度为10nm～500nm。
8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述硼化镧图案的载流子浓度为1015cm-3-1018cm-3。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求6-8任一项所述的薄膜晶体管。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。
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