[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够减少半导体有源层中铟元素的使用，从而解决由于铟元素越来越稀缺，而导致的制作成本上升的问题。其中，所述薄膜晶体管的制备方法包括：在透明基板上，通过构图工艺形成半导体有源层的图案；其中半导体有源层的图案包括硼化镧图案。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)作为显示技术领域中最重要的电子器件之一，用于控制和驱动液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)以及有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示器的子像素。

随着显示技术的快速发展，薄膜晶体管技术由原来的a-Si(非晶硅)薄膜晶体管发展到现在的LTPS(低温多晶硅)薄膜晶体管、MILC(金属诱导横向晶化)薄膜晶体管、Oxide(氧化物)薄膜晶体管等。目前广泛应用的Oxide薄膜晶体管采用氧化物半导体作为有源层，具有迁移率大、开态电流高、开关特性更优、均匀性更好的特点，可以适用于需要快速响应和较大电流的应用，如高频、高分辨率、大尺寸的显示器以及有机发光显示器等。

然而现有技术中，上述氧化物半导体材料大多包含有一些稀有金属元素，例如铟、锶等金属单质。其中铟元素在地壳中的丰度只有0.049ppm左右。因此，随着工业需求对铟的大量消耗，使得金属单质铟越来越少，导致金属单质铟的价格升高，从而增加了显示设备的制作成本，不利于产品的量产。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置，能够减少半导体有源层中铟元素的使用，从而解决由于铟元素越来越稀缺，而导致的制作成本上升的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面，提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

在透明基板上，通过构图工艺形成半导体有源层的图案；其中所述半导体有源层的图案包括硼化镧图案。

本发明实施例的另一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括如上所述的任意一种薄膜晶体管的制备方法。

本发明实施例的又一方面，提供一种薄膜晶体管，包括半导体有源层的图案，所述半导体有源层的图案包括有硼化镧图案。

本发明实施例的又一方面，提供一种阵列基板，包括如上所述的任意一种薄膜晶体管。

本发明实施例的又一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

本发明实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置。其中，薄膜晶体管的制备方法包括：在透明基板上，通过构图工艺形成半导体有源层的图案；其中半导体有源层的图案包括硼化镧图案。这样一来，由于构成半导体有源层的主要成分可以为硼化镧。其中，镧元素虽然是稀土元素，但在地壳中的丰度30ppm，远大于铟元素在地壳中的丰度，而且镧元素的年均消耗量也远小于铟元素。因此，由硼化镧构成的半导体有源层相比于含铟的半导体有源层具有明显的成本和可持续使用的优势。此外，硼化镧的镧元素位于立方体体心，每六个硼元素组成一个正八面体，每个正八面体的体心位于立方体的顶点上，相邻的晶格中的镧元素具有一定的电子轨道交叠，形成电子通道。因此，硼化镧具有很高的迁移率和导电性，从而使得由硼化镧构成的半导体有源层的电子迁移率高，使得薄膜晶体管具有较高的开关电流比高，有利于控制器件的漏电，同时可以有效地提高器件的充电率进而提高显示器件的显示效果。

附图说明