[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201510239228.0 | 申请日: | 2015-05-12 |
公开(公告)号: | CN105097482B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 铃木克彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法,该晶片具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域,该器件区域在由交叉的多个分割预定线划分的正面的各区域上分别形成有器件,其特征在于,所述晶片的加工方法包括:
正面保护部件配设步骤,在晶片的正面配设正面保护部件;
磨削步骤,在实施该正面保护部件配设步骤后,对晶片的背面进行磨削来形成与该器件区域对应的凹部,并且在晶片的背面侧形成与该外周剩余区域对应的环状凸部;
切断槽形成步骤,在实施该磨削步骤后,在该凹部与该环状凸部之间的边界处形成用于切断晶片的该器件区域和该外周剩余区域的切断槽;
分割步骤,在实施该磨削步骤后,在晶片形成沿着该分割预定线的分割槽而沿着该分割预定线对晶片进行分割;以及
掩模形成步骤,在实施该切断槽形成步骤和该分割步骤之前,在晶片的背面形成如下的掩模,该掩模露出了与形成于该凹部和该环状凸部之间的边界处的该切断槽对应的区域以及与该分割预定线对应的区域,
该切断槽和该分割槽是在将该正面保护部件配设在晶片的正面的状态下通过等离子体蚀刻从晶片的背面侧形成的,
同时实施该分割步骤与该切断槽形成步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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