[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201510239228.0 | 申请日: | 2015-05-12 |
公开(公告)号: | CN105097482B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 铃木克彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
本发明提供一种晶片的加工方法,其能够防止晶片的破损并且能够充分地确保器件的形成数量。包括:磨削步骤,对晶片(11)的背面(11b)进行磨削来形成与器件区域(13)对应的凹部(23),并且在晶片的背面侧形成与外周剩余区域(15)对应的环状凸部(25);以及切断槽形成步骤,在实施磨削步骤后,在凹部与环状凸部之间的边界上形成从晶片的正面(11a)到背面的切断槽(33),该切断槽(33)切断器件区域和外周剩余区域,切断槽是通过干蚀刻形成的。
技术领域
本发明涉及较薄地加工晶片的加工方法。
背景技术
近年来,为了实现小型轻量的器件,要求较薄地加工由硅等材料而成的晶片。例如,在由晶片正面的分割预定线(芯片间隔,street)划分的各区域上形成IC等器件后,对背面侧进行磨削,由此使晶片薄化。
然而,通过磨削来使晶片薄化后,刚性大幅地降低而在后续工序中不易操作。因此,提出了如下这样的加工方法:对与中央的器件区域对应的晶片的背面侧进行磨削,并且维持外周部分的厚度,由此在磨削后的晶片上保留规定的刚性(例如,参照专利文献1)。
在该加工方法中,例如使用直径比晶片小的磨削轮来对晶片的背面侧进行磨削,来形成与器件区域对应的凹部。借助在包围器件区域的外周剩余区域的背面侧残留的环状的加强部(环状凸部),来保持晶片的刚性。此外,以后通过切削等方法,去除环状凸部(例如,参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-19461号公报
专利文献2:日本特开2011-61137号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
在多数情况下与上述的器件区域对应的凹部被形成为以曲面连接底面与侧面的形状。形成这种形状的凹部的原因是,安装在磨削轮上的磨削砂轮的角部随着磨削的进行被磨耗而成为圆形。即,因磨耗而磨削砂轮的角部上形成的圆形部分被转印到晶片上,在凹部的底面与侧面之间的连接部分上产生曲面形状(R形状)。
通常,通过在凹部的底面与侧面之间的连接部分切入切削刀片,来去除环状的加强部。然而,当在如上所述的R形状的连接部分切入切削刀片时,切削刀片被施加因R形状而产生的弯曲方向的力,导致切削刀片弯曲。因此,有时导致晶片破损。
在凹部的底面中,在避开R形状的平坦的区域切入切削刀片时,能够防止因切削刀片的弯曲而产生的晶片的破损等。然而,在该情况下,器件区域变窄而无法充分地确保器件的形成数量。
本发明是鉴于所涉及的问题点而提出的,其目的在于提供一种晶片的加工方法,其能够防止晶片的破损并且能够充分地确保器件的形成数量。
用于解决问题的手段
根据本发明,提供一种晶片的加工方法,该晶片具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域,该器件区域在由交叉的多个分割预定线划分的正面的各区域上分别形成有器件,其特征在于,所述晶片的加工方法包括:正面保护部件配设步骤,在晶片的正面配设正面保护部件;磨削步骤,在实施该正面保护部件配设步骤后,对晶片的背面进行磨削来形成与该器件区域对应的凹部,并且在晶片的背面侧形成与该外周剩余区域对应的环状凸部;切断槽形成步骤,在实施该磨削步骤后,在该凹部与该环状凸部之间的边界处形成用于切断晶片的该器件区域和该外周剩余区域的切断槽;分割步骤,在实施该磨削步骤后,在晶片形成沿着该分割预定线的分割槽而沿着该分割预定线对晶片进行分割;以及掩模形成步骤,在实施该切断槽形成步骤和该分割步骤之前,在晶片的背面形成如下的掩模,该掩模露出了与形成于该凹部和该环状凸部之间的边界处的该切断槽对应的区域以及与该分割预定线对应的区域,该切断槽和该分割槽是在将该正面保护部件配设在晶片的正面的状态下通过等离子体蚀刻从晶片的背面侧形成的,同时实施该分割步骤与该切断槽形成步骤。
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