[发明专利]切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：

具有基材和在所述基材上形成的粘合剂层的切割带、以及

在所述切割带的所述粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，

所述倒装芯片型半导体背面用薄膜含有着色剂，

所述着色剂在23℃下对甲苯的溶解度为2g/100ml以下。

2.根据权利要求1所述的切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，所述着色剂具有蒽醌骨架。

3.根据权利要求1所述的切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜的表面自由能E1与所述粘合剂层的表面自由能E2之差(E1－E2)为10mJ/m²以上。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其是使用权利要求1～3中的任一项所述的切割带一体型半导体背面用薄膜制造半导体装置的方法，该方法包括以下工序：

工序A，在所述切割带一体型半导体背面用薄膜的倒装芯片型半导体背面用薄膜上粘贴半导体晶圆；

工序B，在所述工序A之后，从切割带侧对所述倒装芯片型半导体背面用薄膜进行激光标记；

工序C，对所述半导体晶圆进行切割从而形成半导体元件；

工序D，将所述半导体元件与所述倒装芯片型半导体背面用薄膜一起从所述粘合剂层剥离；

工序E，将所述半导体元件倒装芯片连接到被粘物上。