[发明专利]切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来，更进一步要求半导体装置及其封装体的薄型化、小型化。因此，作为半导体装置及其封装体，半导体芯片等半导体元件被倒装芯片连接在基板上的倒装芯片型的半导体装置得到广泛利用。该倒装芯片连接以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形态进行固定。这种半导体装置等有时通过倒装芯片型半导体背面用薄膜保护半导体芯片的背面，防止半导体芯片的损伤等。

该倒装芯片型半导体背面用薄膜上有时会对半导体芯片的识别编号等各种信息(例如文字信息、图形信息)进行激光标记。因此，倒装芯片型半导体背面用薄膜中添加有着色剂。

迄今，存在将这种倒装芯片型半导体背面用薄膜贴合在切割带上制成一体型的切割带一体型半导体背面用薄膜(例如参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第5456440号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在切割带一体型半导体背面用薄膜中，存在有时由于在倒装芯片型半导体背面用薄膜上贴合晶圆时的加热等，倒装芯片型半导体背面用薄膜中的着色剂会向切割带移动的问题。尤其，在保持切割带一体型半导体背面用薄膜原样的状态下从切割带侧照射激光进行对倒装芯片型半导体背面用薄膜的激光标记时，存在激光被移动至切割带的着色剂遮蔽，激光无法到达倒装芯片型半导体背面用薄膜，无法适宜地进行激光标记的问题。

用于解决问题的方案

本申请发明人等为了解决前述问题而对切割带一体型半导体背面用薄膜进行了研究。结果发现，通过采用下述方案，能够抑制倒装芯片型半导体背面用薄膜中含有的着色剂向切割带移动，从而完成了本发明。

即，本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜的特征在于，具备：

具有基材和在前述基材上形成的粘合剂层的切割带、以及

在前述切割带的前述粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，

前述倒装芯片型半导体背面用薄膜含有着色剂，

前述着色剂在23℃下对甲苯的溶解度为2g/100ml以下。

倒装芯片型半导体背面用薄膜由于设置在放热的半导体元件的背面而需要具有耐热性。因此，倒装芯片型半导体背面用薄膜由用于赋予耐热性的材料构成，通常，用于赋予耐热性的材料的极性高。而切割带的粘合剂层由于不要求耐热性，因此不需要含有用于赋予耐热性的材料，通常极性低。

在此，甲苯是极性较低溶剂。即，可以说对甲苯的溶解度低的着色剂的极性较高。

本发明使极性高的倒装芯片型半导体背面用薄膜中含有对甲苯的23℃下的溶解度为2g/100ml以下这样极性较高的着色剂。结果，能够使着色剂留在倒装芯片型半导体背面用薄膜内，抑制其向粘合剂层移动。

在前述方案中，优选的是，前述着色剂具有蒽醌骨架。通常，具有多个苯环的分子由于分子彼此的重叠而导致对溶剂的溶解性降低。蒽醌骨架由于为环己烷被2个苯环夹在中间的结构，因此与酞菁等颜料相比，溶剂会适度进入到分子间。结果，能够维持对溶剂的溶解性。另一方面，由于对甲苯的溶解度低，因此能够抑制向粘合剂层移动。即，具有蒽醌骨架的着色剂在对溶剂的溶解性与抑制向粘合剂层的移动上均衡性优异。这由实施例可以看出。

在前述方案中，优选的是，前述倒装芯片型半导体背面用薄膜的表面自由能E1与前述粘合剂层的表面自由能E2之差(E1-E2)为10mJ/m²以上。

前述差(E1-E2)为10mJ/m²以上时，能够更适宜地抑制着色剂向粘合剂层移动。

此外，本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，其是使用前面所述的切割带一体型半导体背面用薄膜制造半导体装置的方法，该方法包括以下工序：

工序A，在前述切割带一体型半导体背面用薄膜的倒装芯片型半导体背面用薄膜上粘贴半导体晶圆；

工序B，在前述工序A之后，从切割带侧对前述倒装芯片型半导体背面用薄膜进行激光标记；

工序C，对前述半导体晶圆进行切割从而形成半导体元件；

工序D，将前述半导体元件与前述倒装芯片型半导体背面用薄膜一起从前述粘合剂层剥离；