[发明专利]半导体模块

权利要求书

1.用于制造电子模块的方法，具有下述步骤：

提供组件（99），所述组件具有：

·电路载体（3），所述电路载体具有金属的第一表面区段（311）；

·第一接合配对件（1），所述第一接合配对件借助于第一连接层（41）与所述金属的第一表面区段（311）以材料决定的方式连接；和

·金属的第二表面区段（111；312）；

执行热处理，其中将所述金属的第二表面区段（111；312）不中断地保持在下述温度上，所述温度高于至少为300℃的热处理最低温度；

提供第二接合配对件（2）；

通过将所述第二接合配对件（2）在对所述第二表面区段（111；312）的热处理结束之后以材料决定的方式与所述组件（99）连接，建立所述第二接合配对件（2）和所述组件（99）之间的牢固的连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将整个所述组件（99）在热处理期间不中断地保持在下述温度上，所述温度高于所述热处理最低温度。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中将所述热处理在阻止所述第二表面区段（111；312）氧化的保护气体氛围中执行。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中将所述热处理在还原性的氛围中执行。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述还原性的氛围包含下述气体中的一种气体：甲酸、氢气、混合气体。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述热处理在封闭的腔（200）中执行，将所述腔在所述热处理之后抽真空。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述热处理最低温度为350℃。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述热处理最低温度为355℃。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第二接合配对件（2）由纯度为至少99%的铜构成。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第二表面区段（111；312）是金属化层（11，31）的表面区段，所述金属化层由铜构成或具有至少90重量百分比的铜。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第二表面区段（111）是所述第一接合配对件（1）的金属化部（11）的表面区段。

12.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第二表面区段（312）是所述电路载体（3）的表面区段。

13.根据权利要求1或2所述的方法，其中

所述电路载体（3）具有介电的绝缘载体（30），在所述绝缘载体上施加有上部的金属化层（31）；和

所述第一表面区段（313）是所述上部的金属化层（31）的表面区段。

14.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一接合配对件（1）是电子器件。

15.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第二接合配对件（2）被构造为接合线，或者被构造为平坦的或弯曲的金属片。

16.根据权利要求1或2所述的方法，其中

所述第二接合配对件（2）被构造为接合线；

在所述热处理期间，将抗氧化层（15，35）施加到所述第二表面区段（111；312）上；并且

将所述抗氧化层（15， 35）在建立所述第二接合配对件（2）和所述组件（99）之间的牢固的连接期间通过所述第二接合配对件（2）的作用局部地破坏。

17.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述热处理期间，所述组件（99）的金属的组成部分不熔化。