[发明专利]半导体模块

说明书

本发明涉及一种半导体模块。本发明涉及一种用于制造电子模块的方法。对此，提供组件（99），该组件具有：电路载体（3），该电路载体具有金属的第一表面区段（311）；第一接合配对件（1），该第一接合配对件借助于第一连接层（41）与金属的第一表面区段（311）以材料决定的方式连接；和金属的第二表面区段（111；312）。在热处理中，将金属的第二表面区段（111；312）不中断地保持在下述温度上，该温度高于至少为300℃的热处理最低温度。此外，提供第二接合配对件（2）。通过将第二接合配对件（2）在对第二表面区段（111；312）进行热处理结束之后以材料决定的方式与组件（99）连接，建立第二接合配对件（2）和组件（99）之间的牢固的连接。

技术领域

本发明涉及一种半导体模块。

背景技术

在电子模块中，电子器件通常通过烧结连接层与电路载体连接。如果在对此所需的连接过程期间出现表面的污染，随后其他的接合过程应该在该表面上进行，那么这能够损害在这种其他的接合过程中制造的连接的质量。例如，有关坚固性的接合连接和/或其持久稳定性能够降低。污染物例如能够为制造烧结连接层所需要的膏和/或制造烧结连接层所需要的辅助剂的残余物、组成部分或反应产物，和/或为出自在连接过程期间存在的氛围环境的残余物、组成部分或反应产物。

发明内容

本发明的任务在于，提供一种用于制造电子模块的方法，其中在组件和第二接合配对件之间能够建立高质量的接合连接，对于所述组件的制造，将第一接合配对件通过烧结法借助于电路载体连接。

所述任务通过根据专利权利要求1所述的半导体模块来解决。本发明的设计方案和改进方案是从属权利要求的主题。

为了制造电子模块，提供组件，所述组件具有：电路载体，所述电路载体具有金属的第一表面区段；第一接合配对件，所述第一接合配对件借助于第一连接层与金属的第一表面区段以材料决定的方式连接。此外，组件具有金属的第二表面区段。此外，提供第二接合配对件。在热处理中，将金属的第二表面区段不中断地保持在下述温度上，所述温度高于至少为300℃的热处理最低温度。通过将第二接合配对件在对第二表面区段的热处理结束之后以材料决定的方式与组件连接，在第二接合配对件和组件之间建立牢固的连接。

附图说明

下面，根据实施例参考附图阐述本发明。其中：

图1示出用于制造组件的方法的中间步骤，其中将电路载体以材料决定的方式与第一接合配对件连接。

图2示出完成的组件。

图3示出在热处理期间的组件。

图4示出在热处理之后的可选地抽吸围绕组件的氛围期间的组件。

图5A示出一种电子模块，对于其制造，将第二接合配对件与根据图2的组件在组件热处理之后直接地并且材料决定地连接。

图5B示出一种电子模块，对于其制造，将第二接合配对件与根据图2的组件在组件热处理之后借助于连接层以材料决定的方式连接。

图6示出热处理期间的组件，其中金属的第二表面区段设有抗氧化层。

图7示出一种电子模块，对于其制造，将第二接合配对件与根据图6的组件在组件热处理之后直接地并且材料决定地连接。

只要没有另作说明，在图中相同的附图标记表示相同的或起相同作用的元件。

具体实施方式

图1示出电路载体3以及要与电路载体3连接的第一接合配对件1。第一接合配对件1能够为任意部件，例如为电子器件（例如，MOSFET、IGBT、晶闸管、JFET、二极管等），但是也能够为任意的其他有源或无源器件或者任意的电子组件或导电的（例如金属的）连接元件。