[发明专利]一种对位曝光方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示面板制造技术领域，尤其涉及一种对位曝光方法。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示器(简称TFT-LCD)技术的迅猛发展和不断提高，液晶显示面板的尺寸也在不断增大，显示基板如彩膜基板作为液晶显示面板的重要组成部分，其尺寸也随之增大了。因此，各大面板生产厂家需要建立新世代的生产线，以生产出更大尺寸的彩膜基板，但这种做法不但投资巨大，而且风险也非常大。因此，在目前的生产线上来开发生产较大尺寸的彩膜基板成为一个行之有效的解决方案。

在彩膜基板的生产制造过程中，需要对其进行多次曝光操作。首先为了制作彩膜基板的开口部，需要在透明基板上涂布黑色膜层再进行曝光操作，以形成黑矩阵结构，然后，再依次涂布蓝、绿、红膜层，分别对其曝光、显影，以形成蓝、绿、红像素，接着在该黑矩阵结构和蓝、绿、红像素上形成公共电极后还需涂布隔垫材料层，进行曝光操作、显影形成柱状隔垫物。其中，黑矩阵结构形成中所采用的曝光操作称为一次曝光，像素树脂和柱状隔垫物形成中所采用的曝光操作称为二次曝光。实际操作中，为了保证多次曝光的准确性，通常采用如下方法：一次曝光操作后在透明基板上相对的两侧边缘分别形成一个对位标记；二次曝光时，使掩膜板两侧边缘上面的两个标记孔与透明基板上的对位标记对正，以达到二次曝光位置的准确性，从而使得掩膜板上的图案都能精准地转映到透明基板的相应位置并得到准确排布的像素和柱状隔垫物。

图1为现有彩膜基板制作过程中掩膜板3尺寸与透明基板1尺寸适配情况下曝光对位时的示意图，如图1所示，能很好地完成二次曝光中的对位操作。图2为现有彩膜基板制作过程中掩膜板3的尺寸小于透明基板1尺寸情况下曝光对位时的示意图，如图2所示，使用上述方法进行曝光对位时，由于掩膜板3的尺寸小于透明基板1尺寸，导致掩膜板3上面的一个标记孔31对位位置落入透明基板1的中间区域，导致二次曝光的对位不准确，进而导致采用现有的低世代生产线无法实现生产大于掩膜板尺寸的显示基板。

发明内容

本发明的目的在于提供一种对位曝光方法，用于当掩膜板尺寸小于透明基板时，完成对透明基板的掩膜对位曝光。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种对位曝光方法，包括一次对位曝光过程和二次对位曝光过程，所述一次对位曝光过程中在透明基板的至少一侧边缘形成多对对位标记，所述二次对位曝光过程中使用的掩膜板的至少一侧边缘上设有一对标记孔，所述透明基板的同侧相邻两对所述对位标记相隔设定距离，且所述设定距离小于等于所述掩膜板对应侧的有效曝光宽度；所述二次对位曝光过程包括多次掩膜板对位过程和多次曝光过程，在多次掩膜板对位过程中，使所述掩膜板上的一对标记孔逐一与透明基板上对应侧的各对所述对位标记对正。

本发明提供的对位曝光方法中，一次对位曝光过程中在透明基板的至少一侧边缘形成n对对位标记，二次对位曝光过程中使用的掩膜板的至少一侧边缘上设有一对标记孔，透明基板的同侧相邻两对对位标记相隔设定距离，且设定距离小于等于掩膜板对应侧的有效曝光宽度；在二次对位曝光过程中，一般先使掩膜板上的一对标记孔与透明基板上对应侧的一对对位标记对正，并在完成第一次二次曝光后，使掩膜板上的一对标记孔与透明基板上对应侧的另一对对位标记对正，完成第二次二次曝光，并按照上述对位操作，使掩膜板上的一对标记孔逐一与对应侧各对对位标记对正，完成第三次、第四次、……至第n次二次曝光，从而完成了透明基板一侧方向上多次拼接的二次对位曝光过程。

从上述使用过程可知，通过上述对位曝光方法，当掩膜板尺寸小于透明基板时，可以完成对透明基板的掩膜对位曝光。此外，上述对位曝光方法可以在现有的低世代生产线上使用，因此，无需改造或升级现有的低世代生产线，降低了改造和生产过程中的风险，并节约了投资成本，也更加丰富了制作成型后的显示基板的产品型号。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为现有技术中掩膜板尺寸与透明基板尺寸适配情况下对位曝光的示意图；

图2为现有技术中掩膜板尺寸小于透明基板尺寸情况下对位曝光的示意图；

图3为本发明实施例中对透明基板一侧方向进行二次对位曝光过程中的多次拼接对位曝光的示意图；

图4为本发明实施例中推导过程的参考示意图；

图5为本发明优选实施例中对位曝光时的装置布局示意图。

附图标记：