[发明专利]镀膜装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种镀膜装置。

背景技术

在半导体制程中，沉积或镀膜制程可通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)或化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)完成。其中，物理气相沉积是采用物理方法，将材料源气化成气态原子、分子或电离成离子，并通过低压气体，而在基材表面形成与材料源相同材质的薄膜的技术。化学气相沉积则是将制程气体利用化学反应的方法，将欲形成的材料沉积于基材上。

现阶段，不论是使用物理气相沉积或化学气相沉积，皆希望能在基材上尽可能沉积厚度均匀的薄膜。然而，随着半导体制程技术的演进，例如晶圆一路从12吋扩展到18吋甚至更大的尺寸时，就越难在如此大的晶圆上维持沉积薄膜的厚度的一致性。

发明内容

本发明的一方面为一种镀膜装置，此镀膜装置用以在一基材上镀膜。

根据本发明一实施方式，镀膜装置包含镀膜腔室、载台、多个高频振动元件以及至少一控制单元。载台配置于镀膜腔室内，且载台用以盛放基材。多个高频振动元件配置于载台内，其中高频振动元件的振动频率大于20千赫(kHz)。控制单元电性连接至少一个高频振动元件，且控制单元用以控制至少一个高频振动元件的振动频率、振动波形与振动大小。

根据本发明一或多个实施方式，上述各个高频振动元件为圆形。

根据本发明一或多个实施方式，上述各个高频振动元件为环形。

根据本发明一或多个实施方式，上述各个高频振动元件为扇形。

根据本发明一或多个实施方式，上述多个高频振动元件排列成环形图案，且此环形图案面对基材。

根据本发明一或多个实施方式，上述多个高频振动元件排列成扇形图案，且此扇形图案面对该基材。

根据本发明一或多个实施方式，其中由垂直载台的方向观之，上述高频振动元件均匀的分布于载台内。

根据本发明一或多个实施方式，上述镀膜装置还包含靶材设置台。靶材设置台配置于镀膜腔室内且面对载台，其中靶材设置台用以盛放一靶材。

根据本发明一或多个实施方式，上述镀膜装置还包含喷头。喷头配置于镀膜腔室内的气体入口处，且喷头具有多个喷口。多个喷口面对载台，其中气体入口处提供的制程气体经由喷口而朝向载台移动。

综上所述，本发明的一或多个实施方式通过控制单元独立的控制至少一个高频振动元件，可使得镀膜形成的过程中，让即将沉积至基材上的分子或原子移动较远的距离，借以改善基材的均匀度与致密度。此外，在部分实施方式中，通过多种不同的高频振动元件的图案，可用来改善各种镀膜不均匀的情况。

附图说明

图1为本发明一实施方式的镀膜装置的示意图；

图2为图1的高频振动元件的电路方块图；

图3为可以应用图4与图5的高频振动元件的图案来改善基材上的镀膜均匀度的实施例；

图4～图5为本发明不同实施方式的多个高频振动元件的图案示意图；

图6为可以应用图7与图8的图案来改善基材上的镀膜均匀度的实施例；

图7～图8为本发明不同实施方式的多个高频振动元件的图案示意图；

图9～图10为本发明不同实施方式的多个高频振动元件的图案示意图；

图11为本发明另一实施方式的镀膜装置。

具体实施方式

以下将以附图揭露本发明的多个实施方式，为明确说明，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。此外，附图仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。为使便于理解，下述说明中相同元件将以相同的符号标示来说明。

关于本文中所使用的用词“实质上(substantially)”、“大约(around)”、“约(about)”或“近乎(approximately)”应大体上意味在给定值或范围的百分之二十以内，较佳是在百分之十以内，而更佳地则是百分之五以内。文中若无明确说明，其所提及的数值皆视作为近似值，即如“实质上”、“大约”、“约”或“近乎”所表示的误差或范围。