[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，所述掩膜板包括：透明基板，所述透明基板上形成有半透光区域，形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；

在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，包括：

在形成有源漏极金属图形的衬底基板上形成第一膜层；

在形成有所述第一膜层的衬底基板上涂覆负性光刻胶；

采用所述掩模板的不透光区域，且通过强光对涂覆有所述负性光刻胶的衬底基板进行曝光；

对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到所述第一掩膜图形；

剥离所述负性光刻胶。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形，包括：

在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上形成第二膜层；

在形成有所述第二膜层的衬底基板上涂覆正性光刻胶；

采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域，且通过弱光对涂覆有所述正性光刻胶的衬底基板进行曝光；

对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到所述第二掩膜图形；

剥离所述正性光刻胶。

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，

所述第一掩膜图形为过孔图形。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述第一膜层为钝化层膜。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述第二膜层为氧化铟锡膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述不透光区域位于所述半透光区域内。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述不透光区域的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述半透光区域边界的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。

10.一种阵列基板，其特征在于，其采用如权利要求1至9任一所述的方法制成。

11.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求10所述的阵列基板。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11所述的显示面板。

13.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括：

透明基板；

所述透明基板上形成有半透光区域；

形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；

其中，所述不透光区域用于形成阵列基板的第一掩膜图形，所述半透光区域和所述不透光区域用于共同形成所述阵列基板的第二掩膜图形。

14.根据权利要求13所述的掩膜板，其特征在于，

所述掩膜板形成有半透膜；

所述半透膜上形成有所述半透光区域。

15.根据权利要求13或14所述的掩膜板，其特征在于，

所述第一掩膜图形为过孔图形。

16.根据权利要求13或14所述的掩膜板，其特征在于，

所述不透光区域的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。

17.根据权利要求13或14所述的掩膜板，其特征在于，

所述半透光区域边界的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。