[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(英文：Thin-film transisitor liquid cystal display；简称：TFT-LCD)是多数液晶显示器的一种。在TFT-LCD的光刻工艺中，需要使用掩膜板进行图形制作。

使用掩膜板对TFT-LCD阵列基板进行图形制作的原理为：先将光刻胶涂覆在衬底基板上，接着利用光源照射掩膜板，透过掩膜板的透射光线使衬底基板上的光刻胶感光，再经过显影(通过化学作用将感光的光刻胶溶解掉)将未感光的光刻胶固化，最后经过刻蚀使衬底基板获得需要制作的图形。

由于现有技术中，每张掩膜板上的图形是固定不变的，即每张掩膜板唯一对应一种图形。由于阵列基板的制造过程需要在衬底基板上依次形成多个图形，需要购买与要形成的图形相对应的多个掩膜板，并且掩膜板的价格较为昂贵，因此，阵列基板的制造过程较繁琐，且制造成本较高。

发明内容

为了解决阵列基板的制造过程较繁琐，且制造成本较高的问题，本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，所述掩膜板包括：透明基板，所述透明基板上形成有半透光区域，形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；

在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形。

可选的，所述在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，包括：

在形成有源漏极金属图形的衬底基板上形成第一膜层；

在形成有所述第一膜层的衬底基板上涂覆负性光刻胶；

采用所述掩模板的不透光区域，且通过强光对涂覆有所述负性光刻胶的衬底基板进行曝光；

对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到所述第一掩膜图形；

剥离所述负性光刻胶。

可选的，所述在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形，包括：

在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上形成第二膜层；

在形成有所述第二膜层的衬底基板上涂覆正性光刻胶；

采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域，且通过弱光对涂覆有所述正性光刻胶的衬底基板进行曝光；

对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到所述第二掩膜图形；

剥离所述正性光刻胶。

可选的，所述第一掩膜图形为过孔图形。

可选的，所述第一膜层为钝化层膜。

可选的，所述第二膜层为氧化铟锡膜。

可选的，所述不透光区域位于所述半透光区域内。

可选的，所述不透光区域的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。

可选的，所述半透光区域边界的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。

第二方面，提供了一种阵列基板，其采用如第一方面任一所述的方法制成。

第三方面，提供了一种显示面板，包括第二方面所述的阵列基板。

第四方面，提供了一种显示装置，包括第三方面所述的显示面板。

第五方面，提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括：

透明基板；

所述透明基板上形成有半透光区域；

形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；

其中，所述不透光区域用于形成阵列基板的第一掩膜图形，所述半透光区域和所述不透光区域用于共同形成所述阵列基板的第二掩膜图形。

可选的，所述掩膜板形成有半透膜；

所述半透膜上形成有所述半透光区域。

可选的，所述第一掩膜图形为过孔图形。

可选的，所述不透光区域的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。

可选的，所述半透光区域边界的形状为长方形、正方形、三角形和圆形中的任意一种。