[发明专利]阵列基板、其制造方法以及有机发光二极管显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：

衬底基板，包括：

显示区域，包括：

彼此交叉的多条数据线和多条栅线，

多个像素区域，形成为矩阵且由形成在所述衬底基板上的彼此交叉的多条数据线和多条栅线限定，其中所述多个像素区域的每个中形成有薄膜晶体管；

周边区域，围绕所述显示区域；以及

至少一个太阳能电池单元，与所述薄膜晶体管位于所述衬底基板的同一侧且形成在对应于黑矩阵的区域、对应于栅线或数据线或者对应于栅线和数据线二者的区域；

所述像素区域包括连接所述薄膜晶体管的源电极或漏电极的像素电极，所述像素区域还包括连接所述太阳能电池的第一电极和第二电极，所述像素电极、所述第一电极和第二电极同层设置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述至少一个太阳能电池单元的每个包括第一掺杂半导体层，所述薄膜晶体管包括第二掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层位于同一层中。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中所述第一掺杂半导体层包括P型半导体和N型半导体，且所述P型半导体和所述N型半导体形成在同一层中。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中所述第一掺杂半导体层还包括本征半导体，设置在所述P型半导体与所述N型半导体之间。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其中所述第一掺杂半导体层包括交替设置的多个P型半导体和多个N型半导体，且所述多个P型半导体和所述多个N型半导体形成在同一层中。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中所述第一掺杂半导体层还包括多个本征半导体，所述多个本征半导体的每个设置在相邻的所述P型半导体与所述N型半导体之间。

7.根据权利要求3-6中任一项所述的阵列基板，其中所述第二掺杂半导体层包括：形成在同一层中的中间掺杂部分和位于所述中间掺杂部分两侧的侧掺杂部分，所述中间掺杂部分和所述侧掺杂部分的掺杂类型相反。

8.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中所述衬底基板为柔性基板或刚性基板。

9.根据权利要求2所述的阵列基板，其中所述第一和第二掺杂半导体层为掺杂多晶硅层或掺杂单晶硅层。

10.一种阵列基板的制造方法，包括：

准备衬底基板，其中所述衬底基板包括：显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域；

在所述衬底基板的同一侧形成多条栅线、多条数据线、由所述多条栅线和数据线限定的多个像素区域、每个所述像素区域中的薄膜晶体管以及位于对应于黑矩阵的区域、对应于栅线或数据线或者对应于栅线和数据线二者的区域中的至少一个太阳能电池单元；

在所述像素区域形成连接所述薄膜晶体管的源电极或漏电极的像素电极，在所述像素区域还形成连接所述太阳能电池的第一电极和第二电极，所述像素电极、所述第一电极和第二电极同层形成。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中所述至少一个太阳能电池单元的每个包括第一掺杂半导体层，所述薄膜晶体管包括第二掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层位于同一层中，

其中在所述衬底基板的同一侧形成多条栅线、多条数据线、由所述多条栅线和数据线限定的多个像素区域、每个所述像素区域中的薄膜晶体管以及位于对应于黑矩阵的区域、对应于栅线或数据线或者对应于栅线和数据线二者的区域中的至少一个太阳能电池单元，包括：

通过构图工艺和掺杂工艺同时形成所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层。