[发明专利]阵列基板、其制造方法以及有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201510253423.9 | 申请日: | 2015-05-18 |
公开(公告)号: | CN104867964B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 郭易东;龙春平 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云;赵国荣 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制造 方法 以及 有机 发光二极管 显示装置 | ||
本发明的实施例提供一种阵列基板、其制造方法以及有机发光二极管显示装置,该阵列基板包括衬底基板,该衬底基板包括显示区域以及围绕显示区域的周边区域,该显示区域包括:彼此交叉的多条数据线和多条栅线,多个像素区域,形成为矩阵且由形成在所述衬底基板上的彼此交叉的多条数据线和多条栅线限定,其中所述多个像素区域的每个中形成有薄膜晶体管,进一步地,该阵列基板还包括至少一个太阳能电池单元,与所述薄膜晶体管位于所述衬底基板的同一侧且形成在所述多个像素区域和所述周边区域至少之一中。
技术领域
本发明的实施例涉及一种阵列基板、其制造方法以及有机发光二极管显示装置。
背景技术
有机电致发光显示器(OLED)具有主动发光、对比度高、响应速度快、轻薄等诸多优点,成为主要的新一代显示器之一。其工作原理是通过向阳极和阴极施加适当的电压,而使得位于阳极和阴极之间的有机发光层发光,从而显示图像。
太阳能电池是将太阳光能直接转换成电能的半导体器件。例如,太阳能电池可以主要分为基于硅的薄膜太阳能电池、基于化合物的薄膜太阳能电池和基于有机物的太阳能电池,其中基于硅的太阳能电池可主要分为单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池。示例性地,图1示出了多晶硅太阳能电池的截面图,如图1所示,由N型半导体2和P型半导体3形成的PN结被光照后,被束缚的高能级状态下的电子被激发而成为自由电子,自由电子在晶体内向各方向移动,当通过第一电极1和第二电极4连接到外部闭合环路,电流便产生。
随着显示技术的不断发展如何将有机电致发光显示器和太阳能电池整合在一起,成为当下高技术的主要研究方向。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板、其制造方法以及有机发光二极管显示装置,将太阳能电池单元制作在阵列基板中,由此能够降低制作成本、提高良率且使得产品易于实现。
一方面,本发明的实施例提供一种阵列基板,包括衬底基板,该衬底基板包括显示区域,包括:彼此交叉的多条数据线和多条栅线,多个像素区域,形成为矩阵且由形成在所述衬底基板上的彼此交叉的多条数据线和多条栅线限定,其中所述多个像素区域的每个中形成有薄膜晶体管;周边区域,围绕所述显示区域,进一步地,该阵列基板还包括至少一个太阳能电池单元,与所述薄膜晶体管位于所述衬底基板的同一侧且形成在所述多个像素区域和所述周边区域至少之一中。
另一方面,本发明的实施例还提供一种上述阵列基板的制造方法,包括:准备衬底基板,该衬底基板包括:显示区域以及围绕显示区域的周边区域;在衬底基板的同一侧形成多条栅线、多条数据线、由多条栅线和数据线限定的多个像素区域、每个像素区域中的薄膜晶体管以及位于多个像素区域和周边区域至少之一中的至少一个太阳能电池单元。
再一方面,本发明的实施例还提供一种有机发光二极管显示装置,包括:如上所述的阵列基板以及与阵列基板对置的相对基板。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例,而非对本发明的限制。
图1是太阳能电池的示意性工作原理图;
图2是根据本发明实施例的衬底基板的平面图;
图3是根据本发明实施例的像素区域设置有太阳能电池单元的阵列基板的示例性平面图;
图4是根据本发明实施例的太阳能电池单元的第一掺杂半导体层和薄膜晶体管的第二掺杂半导体层在同一层中的阵列基板的示意性截面图;
图5是根据本发明实施例的包括底栅型薄膜晶体管的阵列基板的示意性截面图;
图6是根据本发明实施例的PIN结构的太阳能电池单元的示意性截面图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510253423.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的