[发明专利]阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基板；

所述衬底基板上形成有存储电容，所述存储电容为超级电容，所述超级电容包括第一电极、第二电极以及形成于所述第一电极和所述第二电极之间的电解质层；

在所述衬底基板上形成有包括薄膜晶体管的图案的情况下，包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案是在一次构图工艺中形成的；在所述衬底基板上依次形成有包括栅极的图案和栅绝缘层的情况下，所述第一电极的图案形成于所述栅绝缘层上方。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极的材料为碳材料、金属氧化物、导电聚合物中的一种或几种的组合。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述电解质层为聚合物电解质层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，当包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案是在一次构图工艺中形成的时，

所述栅极的图案上形成有包括栅绝缘层的图案，所述电解质层与所述包括栅绝缘层的图案形成于同一层。

5.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二电极为所述衬底基板上形成的像素电极。

6.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板，其特征在于，

所述衬底基板上形成有像素电极，所述像素电极与所述第二电极电连接。

7.一种阵列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成存储电容，所述存储电容为超级电容，所述超级电容包括第一电极、第二电极以及形成于所述第一电极和所述第二电极之间的电解质层；

在所述衬底基板上形成有包括薄膜晶体管的图案的情况下，所述在衬底基板上形成存储电容，包括：通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案；在形成有所述包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案的衬底基板上形成栅绝缘层、包括所述电解质层的图案和包括所述第二电极的图案；

在所述衬底基板上依次形成有包括栅极的图案和栅绝缘层的情况下，所述在衬底基板上形成存储电容，包括：在所述栅绝缘层上形成包括所述第一电极的图案；在形成有所述包括所述第一电极的图案的衬底基板上形成包括所述电解质层的图案；在形成有所述包括所述电解质层的图案的衬底基板上形成包括所述第二电极的图案。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极的材料为碳材料、金属氧化物、导电聚合物中的一种或几种的组合。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述电解质层为聚合物电解质层。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案的衬底基板上形成栅绝缘层、包括所述电解质层的图案和包括所述第二电极的图案，包括：

在形成有所述包括所述第一电极的图案和所述栅极的图案的衬底基板上形成包括所述栅绝缘层的图案；

通过构图工艺在所述包括所述栅绝缘层的图案的同一层形成所述包括所述电解质层的图案；

在形成有所述包括所述电解质层的图案的衬底基板上形成所述包括所述第二电极的图案。

11.根据权利要求7至10任一所述的方法，其特征在于，

所述第二电极为所述衬底基板上形成的像素电极。

12.根据权利要求7至10任一所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成存储电容之后，所述方法还包括：

在形成有所述第二电极的衬底基板上形成像素电极，所述像素电极与所述第二电极电连接。

13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至6任一所述的阵列基板。