[发明专利]阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

相关技术中有一种TFT-LCD，它通过给液晶像素加上信号电压来改变液晶形状，且液晶像素并联有一个用于保持液晶像素上的电压的存储电容，在TFT的开关状态改变时，液晶像素上的电压就会发生跳变，而存储电容的电容越大，该跳变就越小，目前通常通过增大存储电容两级的面积来增大电容。

发明人在实现本发明的过程中，发现上述方式至少存在如下缺陷：上述方式在为了减小跳变而增大存储电容两级(存储电容两极通常由不透光的材料制成)的面积时，会减小开口率(每个像素有效的透光区域与全部面积的比例)，继而影响显示效果。

发明内容

为了解决相关技术中为了减小跳变而增大存储电容两级的面积时，会减小开口率，继而影响显示效果的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置。所述技术方案如下：

根据本发明实施例的第一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：

衬底基板；

所述衬底基板上形成有存储电容，所述存储电容为超级电容，所述超级电容包括第一电极、第二电极以及形成于所述第一电极和所述第二电极之间的电解质层。

可选的，所述第一电极和/或所述第二电极的材料为碳材料、金属氧化物、导电聚合物中的一种或几种的组合。

可选的，所述电解质层为聚合物电解质层。

可选的，所述衬底基板上形成有包括薄膜晶体管的图案，

包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案是在一次构图工艺中形成的。

可选的，所述栅极的图案上形成有包括栅绝缘层的图案，所述电解质层与所述包括栅绝缘层的图案形成于同一层。

可选的，所述衬底基板上依次形成有包括栅极的图案和栅绝缘层，

所述第一电极的图案形成于所述栅绝缘层上方。

可选的，所述第二电极为所述衬底基板上形成的像素电极。

可选的，所述衬底基板上形成有像素电极，所述像素电极与所述第二电极电连接。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种阵列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成存储电容，所述存储电容为超级电容，所述超级电容包括第一电极、第二电极以及形成于所述第一电极和所述第二电极之间的电解质层。

可选的，所述第一电极和/或所述第二电极的材料为碳材料、金属氧化物、导电聚合物中的一种或几种的组合。

可选的，所述电解质层为聚合物电解质层。

可选的，所述衬底基板上形成有包括薄膜晶体管的图案，所述在衬底基板上形成存储电容，包括：

通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案；

在形成有所述包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案的衬底基板上形成栅绝缘层、包括所述电解质层的图案和包括所述第二电极的图案。

可选的，所述在形成有所述包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案的衬底基板上形成栅绝缘层、包括所述电解质层的图案和包括所述第二电极的图案，包括：

在形成有所述包括所述第一电极的图案和所述栅极的图案的衬底基板上形成包括所述栅绝缘层的图案；

通过构图工艺在所述包括所述栅绝缘层的图案的同一层形成所述包括所述电解质层的图案；

在形成有所述包括所述电解质层的图案的衬底基板上形成所述包括所述第二电极的图案。

可选的，所述衬底基板上依次形成有包括栅极的图案、栅绝缘层，

所述在衬底基板上形成存储电容，包括：

在所述栅绝缘层上形成包括所述第一电极的图案；

在形成有所述包括所述第一电极的图案的衬底基板上形成包括所述电解质层的图案；

在形成有所述包括所述电解质层的图案的衬底基板上形成包括所述第二电极的图案。

可选的，所述第二电极为所述衬底基板上形成的像素电极。

可选的，所述在衬底基板上形成存储电容之后，所述方法还包括：

在形成有所述第二电极的衬底基板上形成像素电极，所述像素电极与所述第二电极电连接。