[发明专利]用于低接地体校正的方法和系统

权利要求书

1.一种用于输入装置的处理系统，所述处理系统包括：

传感器模块，其耦合到第一批多个传感器电极和第二批多个传感器电极，所述传感器模块包括传感器电路并配置成：

获取所述第一批多个传感器电极和所述第二批多个传感器电极之间的第一批多个互电容性度量，以及

获取所述第一批多个传感器电极和所述第二批多个传感器电极的第一批多个绝对电容性度量；以及

确定模块，其配置成：

确定来自所述第一批多个互电容性度量的第一投影和来自所述第一批多个绝对电容性度量的第一曲线，

其中确定所述第一投影包括：

对于在第一轴上的所述第一批多个传感器电极的至少一个子集中的每个传感器电极，对沿所述传感器电极的长度的所述第一批多个互电容性度量的子集求和，以获得所述传感器电极的求和值，以及

其中所述第一投影包括所述第一批多个传感器电极的至少所述子集中的每个的所述求和值；以及

基于良好接地值、所述第一投影和所述第一曲线确定低接地体校正因子。

2.根据权利要求1所述的处理系统，其中所述确定模块进一步配置成：

获取所述第一投影和所述第一曲线之间的第一比较，

其中确定所述低接地体校正因子是基于所述良好接地值和所述第一比较。

3.根据权利要求2所述的处理系统，其中获取所述第一比较以及确定所述低接地体校正因子包括计算所述第一投影和第一曲线的比率。

4.根据权利要求1所述的处理系统，其中所述第一投影和所述第一曲线是沿所述第一批多个传感器电极和所述第二批多个传感器电极中相同集合的传感器电极的相同轴。

5.根据权利要求4所述的处理系统，

其中所述确定模块进一步配置成从所述第一批多个互电容性度量确定第二投影，以及

其中所述第二投影包括沿所述第二批多个电极的第一轴增加互电容性度量。

6.根据权利要求5所述的处理系统，

其中所述确定模块进一步配置成从所述第一批多个绝对电容性度量确定第二曲线，以及

其中所述第二曲线和所述第二投影是沿所述相同传感器电极的所述相同轴。

7.根据权利要求2所述的处理系统，其中所述第一比较进一步基于第二投影和第二曲线。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的处理系统，其中所述确定模块进一步配置成基于所述第一批多个互电容性度量和所述低接地体校正因子确定输入对象的位置信息。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的处理系统，

其中所述传感器模块进一步配置成：

在所述输入装置处于良好接地状态时，获取所述第一批多个传感器电极和第二批多个传感器电极之间的第二批多个互电容性度量，以及

在所述输入装置处于良好接地状态时，获取所述第一批多个传感器电极和所述第二批多个传感器电极的第二批多个绝对电容性度量，以及

其中所述确定模块配置成：

确定来自所述第二批多个互电容性度量的第二投影和来自所述第二批多个绝对电容性度量的第二曲线，以及

从所述第二投影和所述第二曲线获取所述良好接地值。