[发明专利]MOSFET终端结构及其制造方法

权利要求书

1.一种MOSFET终端结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S₁、在N型重掺杂单晶硅衬底上生长N型轻掺杂硅外延层，并在所述N型轻掺杂硅外延层上生长二氧化硅场氧化层；

S₂、采用光刻掩模和蚀刻技术将预设的若干场限环区域上方的二氧化硅场氧化层除去，并形成若干场氧化层开口区；

S₃、在若干场氧化层开口区中生长二氧化硅栅氧化层，并在所述二氧化硅场氧化层上和所述二氧化硅栅氧化层上淀积多晶硅层，所述二氧化硅栅氧化层的厚度小于所述二氧化硅场氧化层的厚度；

S₄、采用光刻掩模和蚀刻技术蚀刻多晶硅层，以形成若干多晶硅场板、若干耦合多晶硅条及若干连接多晶硅条；

所述多晶硅场板设置于二氧化硅场氧化层上；所述耦合多晶硅条设置于场氧化层开口区中的二氧化硅栅氧化层上，并用于耦合场限环电势；所述耦合多晶硅条通过所述连接多晶硅条与所述多晶硅场板相连接；

S₅、执行自对准P型杂质离子注入操作，并使得杂质穿过二氧化硅栅氧化层且不穿过多晶硅层和二氧化硅场氧化层，以形成若干场限环。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤S₅之后还包括：

S₆、淀积二氧化硅隔离介质，并制作MOSFET的剩余部分。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述N型轻掺杂硅外延层的厚度为10-100um。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅场氧化层的厚度为0.7-3um。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅栅氧化层的厚度为500-2000A。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为0.3-2um。

7.一种MOSFET终端结构，其特征在于，其利用如权利要求1-6中任意一项所述的制造方法制造，所述MOSFET终端结构包括N型重掺杂单晶硅衬底、N型轻掺杂硅外延层及二氧化硅场氧化层，所述N型轻掺杂硅外延层位于所述N型重掺杂单晶硅衬底上，所述二氧化硅场氧化层位于所述N型轻掺杂外延层上；

所述MOSFET终端结构还包括若干场限环，所述二氧化硅场氧化层中设有与若干场限环区域对应的若干场氧化层开口区，在每一场氧化层开口区中设有二氧化硅栅氧化层，在所述二氧化硅场氧化层上和所述二氧化硅栅氧化层上淀积有多晶硅层；

所述多晶硅层包括若干多晶硅场板、若干耦合多晶硅条及若干连接多晶硅条；

所述多晶硅场板设置于二氧化硅场氧化层上；所述耦合多晶硅条设置于场氧化层开口区的二氧化硅栅氧化层上，并用于耦合场限环电势；所述耦合多晶硅条通过所述连接多晶硅条与所述多晶硅场板相连接。

8.如权利要求7所述的MOSFET终端结构，其特征在于，所述耦合多晶硅条与所述二氧化硅场氧化层的距离为0.5-5um。

9.如权利要求7所述的MOSFET终端结构，其特征在于，所述耦合多晶硅条与所述连接多晶硅条相互垂直。

10.如权利要求7所述的MOSFET终端结构，其特征在于，所述耦合多晶硅条及所述连接多晶硅条的宽度为0.5-5um。