[发明专利]一种零膨胀LAS/SiC复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种零膨胀LAS/SiC复合材料的制备方法，其特征在于，包含下列步骤：

(1)粉末烧结法制备LAS粉体：按照摩尔比Li₂CO₃:2SiO₂:Al₂O₃配料，加入无水乙醇，加入量与原料的体积比为3:1，采用氧化铝球湿法球磨混料至少8h，混合均匀，在旋转蒸发仪上旋蒸将酒精烘干、取出放入干燥箱中80℃干燥过筛，将过筛后的混合粉体松装入氧化铝坩埚中，置于空气炉中于1200℃烧结，加热速率为5℃/min，保温6～24h，随炉冷却，将得到的块体捣碎获得LAS粉体；

(2)LAS/SiC复合粉体的获得：将SiC粉体与步骤(1)获得的LAS粉体按照质量配比：SiC/LAS＝1.5～3进行混料，加入无水乙醇，加入量与混合粉的体积比为3:1，采用氧化铝球湿法球磨混料至少4h，然后干燥过筛，获得LAS/SiC复合粉体；

(3)热压烧结：将LAS/SiC复合粉体松装放入热压模具中，并手动压实，在N₂气氛下，于1250～1500℃热压烧结，保温30min～3h，升温速率为3～10℃/min，氮气压力为0.1～2MPa；

(4)加工处理：将热压烧结得到的LAS/SiC复合块体进行机械磨削加工，得到LAS/SiC复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种零膨胀LAS/SiC复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述原料Li₂CO₃、SiO₂、Al₂O₃的尺寸均为微米级，平均粒径为3～8μm。

3.根据权利要求1所述的一种零膨胀LAS/SiC复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述所述SiC粉体粒径为纳米级和微米级、LAS粉体的平均粒径为5～50μm。

4.根据权利要求1所述的一种零膨胀LAS/SiC复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的升温速率在800℃以下为3～5℃/min，800℃以上为5～10℃/min，热压压力为15～50MPa。