[发明专利]金属基座基板、功率模块、以及金属基座基板的制造方法

权利要求书

1.一种金属基座基板，其中，具有：

由铜构成的基板；

第1金属层，其形成在所述基板上，由与所述铜不同的金属构成；

树脂绝缘片，其通过将作为绝缘体的树脂片接合在所述第1金属层上而形成；以及

电路图案，其形成在所述树脂绝缘片上。

2.根据权利要求1所述的金属基座基板，其特征在于，所述第1金属层的所述树脂绝缘片侧的面被粗糙化。

3.根据权利要求1或2所述的金属基座基板，其特征在于，还具有第2金属层，该第2金属层形成在所述基板的与所述第1金属层相反侧的面上，由与所述金属相同的金属构成。

4.根据权利要求1或2所述的金属基座基板，其特征在于，

所述电路图案由铜构成，

在所述树脂绝缘片和所述电路图案之间，还具有由与所述金属相同的金属构成的第3金属层。

5.根据权利要求1或2所述的金属基座基板，其特征在于，所述金属是铝或铝合金。

6.根据权利要求1或2所述的金属基座基板，其特征在于，所述树脂绝缘片由环氧树脂构成。

7.一种功率模块，其具有：

权利要求1或2所述的金属基座基板；

将所述金属基座基板作为下表面的壳体；

一端与载置在所述金属基座基板的所述电路图案上的半导体芯片电连接的端子；以及

以使至少所述端子的另一端露出的方式填充在所述壳体内的树脂。

8.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，所述树脂包含凝胶状的硅树脂。

9.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，所述树脂包含固体状的环氧树脂。

10.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，所述半导体芯片和所述端子利用通过丝焊而形成的配线连接。

11.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，所述半导体芯片和所述端子通过与该端子不同的端子而连接。

12.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，所述半导体芯片是Si、SiC以及GaN中的某一种。

13.一种功率模块，其具有：

权利要求1或2所述的金属基座基板；

一端与载置在所述金属基座基板的所述电路图案上的半导体芯片电连接的端子；以及

以使至少所述端子的另一端露出的方式将所述金属基座基板、所述半导体芯片以及所述端子封装的封装树脂。

14.根据权利要求13所述的功率模块，其特征在于，所述封装树脂包含环氧树脂。

15.根据权利要求13所述的功率模块，其特征在于，所述半导体芯片和所述端子利用通过丝焊而形成的配线连接。

16.根据权利要求13所述的功率模块，其特征在于，所述半导体芯片和所述端子通过与该端子不同的端子而连接。

17.根据权利要求13所述的功率模块，其特征在于，所述半导体芯片是Si、SiC以及GaN中的某一种。

18.一种金属基座基板的制造方法，其具有下述工序：

(a)准备由铜构成的基板的工序；

(b)在所述基板上形成由与所述铜不同的金属构成的第1金属层的工序；

(c)通过将作为绝缘体的树脂片接合在所述第1金属层上而形成树脂绝缘片的工序；以及

(d)在所述树脂绝缘片上形成电路图案的工序。

19.根据权利要求18所述的金属基座基板的制造方法，其特征在于，所述工序(b)包含下述工序，即，将所述第1金属层的应形成所述树脂绝缘片的一侧的面粗糙化的工序。

20.根据权利要求18或19所述的金属基座基板的制造方法，其特征在于，还具有工序(e)，在该工序(e)中，在所述基板的与所述第1金属层相反侧的面上，形成由与所述金属相同的金属构成的第2金属层。

21.根据权利要求18或19所述的金属基座基板的制造方法，其特征在于，

在所述工序(d)中，所述电路图案由铜构成，

在所述工序(c)和所述工序(d)之间，还具有工序(f)，

在该工序(f)中，在所述树脂绝缘片上形成由与所述金属相同的金属构成的第3金属层。