[发明专利]金属基座基板、功率模块、以及金属基座基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置用的金属基座基板、具有该金属基座基板的功率模块、以及金属基座基板的制造方法。

背景技术

当前，在功率电子等领域中，例如为了与半导体芯片电绝缘，并且确保在半导体芯片中产生的热量的散热性，使用载置半导体芯片的金属基板。

例如，公开有一种金属基座基板，该金属基座基板是以下述方式得到的，即，在使用铜板作为金属基板的情况下，为了提高铜板和形成在该铜板上的绝缘层的密接性(密接强度)，在铜板的单面(形成绝缘层的一侧的面)上轧制铝(或者铝合金)而形成包层材料基底板，在该包层材料基底板上通过涂敷液态的环氧树脂形成绝缘层(例如，参考专利文献1)。

专利文献1：日本特开平6－350213号公报

在专利文献1中，由于在铜板上涂敷液态的环氧树脂而形成绝缘层，因此无法确保绝缘层的厚度，并无法保持绝缘耐压。另外，有可能在通过涂敷液态的环氧树脂而形成的绝缘层上形成针孔，绝缘耐压下降。并且，具有下述问题，即，在制造上述构造时制造工序复杂化。

发明内容

本发明就是为了解决上述的问题而提出的，其目的在于提供一种金属基座基板、功率模块、以及金属基座基板的制造方法，其能够抑制绝缘耐压的下降，且容易制造。

为了解决上述的课题，本发明所涉及的金属基座基板具有：由铜构成的基板；第1金属层，其形成在基板上，由与铜不同的金属构成；树脂绝缘片，其通过将作为绝缘体的树脂片接合在第1金属层上而形成；以及电路图案，其形成在树脂绝缘片上。

另外，本发明所涉及的金属基座基板的制造方法具有下述工序：(a)准备由铜构成的基板的工序；(b)在基板上形成由与铜不同的金属构成的第1金属层的工序；(c)通过将作为绝缘体的树脂片接合在第1金属层上而形成树脂绝缘片的工序；以及(d)在树脂绝缘片上形成电路图案的工序。

发明的效果

根据本发明，由于金属基座基板具有：由铜构成的基板；第1金属层，其形成在基板上，由与铜不同的金属构成；树脂绝缘片，其通过将作为绝缘体的树脂片接合在第1金属层上而形成；以及电路图案，其形成在树脂绝缘片上，因此，能够抑制绝缘耐压的下降，且容易制造。

另外，由于金属基座基板的制造方法具有下述工序：(a)准备由铜构成的基板的工序；(b)在基板上形成由与铜不同的金属构成的第1金属层的工序；(c)通过将作为绝缘体的树脂片接合在第1金属层上而形成树脂绝缘片的工序；以及(d)在树脂绝缘片上形成电路图案的工序，因此，能够抑制绝缘耐压的下降，且容易制造。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的金属基座基板的结构的一个例子的图。

图2是表示本发明的实施方式1所涉及的金属基座基板的结构的其他一个例子的图。

图3是表示本发明的实施方式1所涉及的金属基座基板的结构的其他一个例子的图。

图4是表示本发明的实施方式1所涉及的金属基座基板的结构的其他一个例子的图。

图5是表示本发明的实施方式2所涉及的功率模块的结构的一个例子的图。

图6是表示本发明的实施方式2所涉及的功率模块的结构的其他一个例子的图。

图7是表示本发明的实施方式2所涉及的功率模块的结构的其他一个例子的图。

图8是表示本发明的实施方式2所涉及的功率模块的结构的其他一个例子的图。

具体实施方式

下面，基于附图对本发明的实施方式进行说明。

<实施方式1>

首先，对本发明的实施方式1所涉及的金属基座基板的结构进行说明。

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的金属基座基板的结构的一个例子的图。

如图1所示，在铜板1(由铜构成的基板)上接合而形成有金属层2(第1金属层)，由铜板1和金属层2构成包层材料基座板3。在此，作为金属层2是与铜不同种类的金属，且是与后述的树脂绝缘片4的密接性良好的金属，例如可以是铝或铝合金。

在金属层2上接合而形成有树脂绝缘片4，该树脂绝缘片4是通过接合作为绝缘体的树脂片而形成的。树脂绝缘片4例如由环氧树脂等构成。在此，树脂绝缘片4可以单独地与金属层2接合，也可以经由粘合剂等与金属层2接合。在树脂绝缘片4上形成有电路图案5。

在电路图案5上经由焊料6载置有半导体芯片7。

下面，对金属基座基板的制造方法进行说明。