[发明专利]导电薄膜和包括其的电子器件有效
申请号: | 201510259510.5 | 申请日: | 2015-05-20 |
公开(公告)号: | CN105304158B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 金世润;金相壹;黄成宇;孙仑喆;赵龙僖;崔在荣 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01B1/06 | 分类号: | H01B1/06;C01B19/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金拟粲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 薄膜 包括 电子器件 | ||
1.导电薄膜,包括
由化学式1表示并具有层状晶体结构的化合物:
化学式1
MeCha
其中
Me为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu;Ch为硫、硒、或碲;
且a为3,和
其中所述导电薄膜具有小于或等于100纳米的厚度,
其中所述导电薄膜对于550纳米波长的光具有大于或等于80%的透射率,和
其中电阻率值(ρ)与在25℃下对于550纳米波长的光的吸收系数(α)的乘积小于或等于30欧姆/平方(Ω/□)。
2.根据权利要求1所述的导电薄膜,其中所述化合物为三碲化物化合物。
3.根据权利要求1所述的导电薄膜,其包括YTe3、LaTe3、CeTe3、PrTe3、NdTe3、SmTe3、GdTe3、TbTe3、DyTe3、HoTe3、ErTe3、或其组合。
4.根据权利要求1所述的导电薄膜,其具有大于或等于3,000西门子/厘米(S/cm)的电导率。
5.根据权利要求1所述的导电薄膜,其中所述层状晶体结构属于具有Cmcm(63)空间群的斜方晶系、具有C2cm(40)空间群的斜方晶系、或具有P42/n(86)空间群的四方晶系。
6.根据权利要求1所述的导电薄膜,其包括由化学式1表示的化合物的单晶。
7.根据权利要求1所述的导电薄膜,其包括多个包含化学式1的化合物的纳米片,且所述纳米片彼此接触以提供电连接。
8.根据权利要求1所述的导电薄膜,其包括包含化学式1的化合物的连续的沉积膜。
9.根据权利要求1所述的导电薄膜,其具有比在面外方向上的电导率高的在面内方向上的电导率。
10.电子器件,其包括根据权利要求1-9任一项所述的导电薄膜。
11.根据权利要求10所述的电子器件,其中所述电子器件为平板显示器、触摸屏面板、太阳能电池、电子视窗、电致变色镜、热镜、透明晶体管、或柔性显示器。
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