[发明专利]导电薄膜和包括其的电子器件有效
申请号: | 201510259510.5 | 申请日: | 2015-05-20 |
公开(公告)号: | CN105304158B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 金世润;金相壹;黄成宇;孙仑喆;赵龙僖;崔在荣 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01B1/06 | 分类号: | H01B1/06;C01B19/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金拟粲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 薄膜 包括 电子器件 | ||
本发明涉及导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并具有层状晶体结构的化合物,其中,Me为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu;Ch为硫、硒、或碲;且a为范围为1‑3的整数。化学式1MeCha。
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年5月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0064005的优先权、以及由其产生的所有权益,其内容通过参考全部引入本文。
技术领域
公开了导电薄膜和包括其的电子器件。
背景技术
典型的电子器件如平板显示器例如LCD或LED、触摸屏面板、太阳能电池、透明晶体管等包括导电薄膜或透明导电薄膜。可期望用于导电薄膜的材料具有例如在可见光区域中大于或等于约80%的高的光透射率和小于或等于约100微欧姆-厘米(μΩ*cm)的低的比电阻。目前使用的用于导电薄膜的材料包括氧化物材料或导电聚合物材料。氧化物材料可为氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等。作为透明电极材料的ITO具有差的柔性和由于铟的有限的可获量所致的不可避免地较高的制造成本。因此,迫切地需要替代性材料的开发。氧化锡和氧化锌显示低的电导率且具有差的柔性。
基于聚合物的电极材料可为例如PEDOT:PSS(聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)聚(磺苯乙烯))。尽管基于聚合物的电极材料具有优异的柔性,但其显示低的电导率和差的稳定性。
为了开发适于用作下一代电子器件的柔性电子器件(如可弯曲的或可折叠的电子器件),期望开发具有高的透明度和优异的电导率的用于柔性且稳定的透明电极的材料。
发明内容
一个实施方式提供具有高的电导率和优异的光透射率的柔性的导电薄膜。
另一实施方式提供包括所述导电薄膜的电子器件。
在一个实施方式中,导电薄膜包括由化学式1表示并具有层状晶体结构的化合物:
化学式1
MeCha
其中
Me为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu;
Ch为硫、硒、或碲;和
a为范围1-3的整数。
所述导电薄膜在100纳米的厚度下对于在约550纳米的波长处的光可具有大于或等于约80百分比(%)的透射率。
所述导电薄膜可具有比在面外方向上的电导率高的在面内方向上的电导率。
所述化合物可为三碲化物化合物。
所述化合物可包括YTe3、LaTe3、CeTe3、PrTe3、NdTe3、SmTe3、GdTe3、TbTe3、DyTe3、HoTe3、ErTe3、或其组合。
所述导电薄膜可包括单晶化合物。
所述导电薄膜可具有大于或等于约3,000西门子/厘米的电导率。
所述化合物可具有小于或等于约30欧姆/平方(Ω/□)的其电阻率值(ρ)与在25℃下对于具有约550纳米波长的光的吸收系数(α)的乘积。
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