[发明专利]显示基板及其制作方法以及显示装置有效
申请号: | 201510259953.4 | 申请日: | 2015-05-20 |
公开(公告)号: | CN104979372B | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 方金钢;沈武林;孙宏达;林俊仪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人: | 张京波,曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 以及 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
设置在相邻像素之间的黑矩阵,
所述黑矩阵的侧壁为内凹曲面;
所述黑矩阵包括:
第一绝缘层;
设置在所述第一绝缘层之上的第二绝缘层;
设置在所述第二绝缘层之上的第三绝缘层;
其中,所述第一绝缘层的刻蚀速度大于所述第二绝缘层的刻蚀速度,所述第二绝缘层的刻蚀速度大于所述第三绝缘层的刻蚀速度;
设置在所述第三绝缘层之上的遮光层。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述黑矩阵的材料包括负性光刻胶。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:
设置在所述第一绝缘层之下的下部第二绝缘层;
设置在所述下部第二绝缘层之下的下部第三绝缘层。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,通过干刻蚀工艺刻蚀所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,还包括:
封装层,设置在所述黑矩阵下方,用于封装有机发光二极管;
阻挡层,设置在所述黑矩阵和所述封装层之间,用于防止干刻蚀工艺对所述封装层刻蚀。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示基板,其特征在于,还包括:
吸收层,设置在所述黑矩阵之上,用于吸收有机溶剂、水和形成子像素的液体。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至6中任一项所述的显示基板。
8.一种显示基板制作方法,其特征在于,包括:
形成相邻像素之间的黑矩阵,使所述黑矩阵的侧壁为内凹曲面;
所述形成相邻像素之间的黑矩阵包括:
形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层之上形成第二绝缘层;
在所述第二绝缘层之上形成第三绝缘层;
其中,所述第一绝缘层的刻蚀速度大于所述第二绝缘层的刻蚀速度,所述第二绝缘层的刻蚀速度大于所述第三绝缘层的刻蚀速度;
在所述第三绝缘层之上形成遮光层。
9.根据权利要求8所述的显示基板制作方法,其特征在于,所述形成相邻像素之间的黑矩阵包括:
采用负性光刻胶形成黑矩阵层;
对所述黑矩阵层进行加热,以烘干所述黑矩阵层中的有机溶剂;
对所述黑矩阵层进行曝光;
对所述黑矩阵层进行显影,形成所述黑矩阵。
10.根据权利要求8所述的显示基板制作方法,其特征在于,在形成所述第一绝缘层之前还包括:
形成下部第三绝缘层;
在所述下部第三绝缘层之上形成下部第二绝缘层,
所述第一绝缘层形成于所述下部第二绝缘层之上。
11.根据权利要求10所述的显示基板制作方法,其特征在于,还包括:
在所述黑矩阵和封装层之间形成阻挡层,用于防止干刻蚀工艺对所述封装层刻蚀,
其中,所述封装层设置于所述黑矩阵下方,用于封装有机发光二极管。
12.根据权利要求8-11中任一项所述的显示基板制作方法,其特征在于,还包括:
在所述黑矩阵之上形成吸收层,用于吸收有机溶剂、水和形成子像素的液体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的