[发明专利]显示基板及其制作方法以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示基板、一种显示装置和一种显示基板制作方法。

背景技术

在AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)显示器领域，因其具有高响应速度、高色域、高对比度，广视角、超薄、低功耗等优点成为现代显示器研究的热点。

其中，顶发射结构WOLED显示器在有源矩阵的另一端发光，不存在金属布线对OLED发光的遮挡，具有高开口率的优点。顶发射结构的AMOLED可以通过在OLED上面直接做彩膜，打印工艺可以避免UV(紫外光)对OLED的影响。彩膜中BM(黑矩阵)的厚度高于1um，坡度角一般为30～60度之间(如图1所示)，但是由于彩膜保证色饱和度时，厚度要达到微米级，相对于传统的打印工艺制作OLED只需要200～300nm，打印彩膜时所用液滴体积更大，更易出现液滴沿BM的坡度角方向飞溅，容易对相邻像素间造成污染。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，如何避免打印彩膜时的液滴对相邻像素造成污染。

为此目的，本发明提出了一种显示基板，包括：

设置在相邻像素之间的黑矩阵，

所述黑矩阵的侧壁为内凹曲面。

优选地，所述黑矩阵的材料包括负性光刻胶。

优选地，所述黑矩阵包括：

第一绝缘层；

设置在所述第一绝缘层之上的第二绝缘层；

设置在所述第二绝缘层之上的第三绝缘层，

其中，所述第一绝缘层的刻蚀速度大于所述第二绝缘层的刻蚀速度，所述第二绝缘层的刻蚀速度大于所述第三绝缘层的刻蚀速度；

设置在所述第三绝缘层之上的遮光层。

优选地，还包括：

设置在所述第一绝缘层之下的下部第二绝缘层；

设置在所述下部第二绝缘层之下的下部第三绝缘层。

优选地，通过干刻蚀工艺刻蚀所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。

优选地，还包括：

封装层，设置在所述黑矩阵下方，用于封装有机发光二极管；

阻挡层，设置在所述黑矩阵和所述封装层之间，用于防止干刻蚀工艺对所述封装层刻蚀。

优选地，还包括：

吸收层，设置在所述黑矩阵之上，用于吸收有机溶剂、水和形成子像素的液体。

本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项所述的显示基板。

本发明还提出了一种显示基板制作方法，包括：

形成相邻像素之间的黑矩阵，使所述黑矩阵的侧壁为内凹曲面。

优选地，所述形成相邻像素之间的黑矩阵包括：

采用负性光刻胶形成黑矩阵层；

对所述黑矩阵层进行加热，以烘干所述黑矩阵层中的有机溶剂；

对所述黑矩阵层进行曝光；

对所述黑矩阵层进行显影，形成所述黑矩阵。

优选地，所述形成相邻像素之间的黑矩阵包括：

形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层之上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层之上形成第三绝缘层，

其中，所述第一绝缘层的刻蚀速度大于所述第二绝缘层的刻蚀速度，所述第二绝缘层的刻蚀速度大于所述第三绝缘层的刻蚀速度；

在所述第三绝缘层之上形成遮光层。

优选地，在形成所述第一绝缘层之前还包括：

形成下部第三绝缘层；

在所述下部第三绝缘层之上形成下部第二绝缘层，

所述第一绝缘层形成于所述下部第二绝缘层之上。

优选地，还包括：

在所述黑矩阵和封装层之间形成阻挡层，用于防止干刻蚀工艺对所述封装层刻蚀，

其中，所述封装层设置于所述黑矩阵下方，用于封装有机发光二极管。

优选地，还包括：

在所述黑矩阵之上形成吸收层，用于吸收有机溶剂、水和形成子像素的液体。

根据上述技术方案，通过将黑矩阵的侧壁制作为内凹曲面，在形成彩膜时，一个亚像素中的彩膜液滴在飞溅到黑矩阵的侧壁时，可以沿着曲面返回该亚像素中，避免液滴飞溅污染相邻像素，保证基板良率。

附图说明

通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：

图1示出了现有技术中黑矩阵的结构示意图；

图2示出了根据本发明一个实施例的显示基板的结构示意图；