[发明专利]湿法刻蚀机及采用该刻蚀机进行刻蚀的方法有效
申请号: | 201510260667.X | 申请日: | 2015-05-20 |
公开(公告)号: | CN104835767B | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 李盛荣;郑载润;王世凯;金童燮;耿军;李登涛;李茜茜;梁亚东 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/306 |
代理公司: | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 230011 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 刻蚀 采用 进行 方法 | ||
本发明提供一种湿法刻蚀机及采用该刻蚀机进行刻蚀的方法。该湿法刻蚀机包括刻蚀腔室,所述刻蚀腔室内设置有至少两个刻蚀层,各个所述刻蚀层由上至下依次层叠设置,且每一所述刻蚀层包括:用于放置及传送待刻蚀基板的第一传送载体以及设置于所述第一传送载体正上方、用于喷涂刻蚀药液的喷淋装置。采用该刻蚀机及其方法,能够解决现有技术的湿法刻蚀机,当生产工艺中需要总刻蚀时间大于基板不停留情况下的传送时间时,需要增加停留时间造成刻蚀的生产节拍降低,或者需要增加串联刻蚀腔室的个数,造成占地面积较大的问题。
技术领域
本发明涉及半导体制造用设备,尤其是一种湿法刻蚀机及采用该刻蚀机进行刻蚀的方法。
背景技术
如图1为用于现有技术平板显示面板制造用湿法刻蚀机的结构示意图,包括:依次串联的入口缓冲腔室1、刻蚀腔室2、清洗腔室3和出口缓冲腔室4,其中刻蚀腔室2也是由多个串联设置的腔室组成,待刻蚀的基板5依次经过各个刻蚀腔室2后完成整个刻蚀过程,刻蚀所耗费的总刻蚀时间即为经过各个刻蚀腔室2后的时间。
然而,实际生产中,一个基板所需要的刻蚀时间往往大于基板不停留情况下经过各个刻蚀腔室的总传送时间,而由于基板的传送速度有下限,太慢会发生基板打滑,因此基板需要在刻蚀腔室内停留以延长刻蚀时间,从而使生产节拍变长,不利于产能提升;另外现有技术对于生产所需总刻蚀时间大于基板不停留情况下的传送时间时的另一种处理方式为:增加串联的刻蚀腔室的个数,以增加基板在刻蚀腔室内的传送时间,从而增加了总刻蚀时间,使基板不需要停留,达到加快生产节拍的目的。然而增加串联的刻蚀腔室的个数,会增加设备的占地面积,基板的尺寸越大,设备占地面积增加的越多,增加了洁净间的建设和运营成本,仍然不能成为一种有效的解决办法。
发明内容
本发明技术方案的目的是提供一种湿法刻蚀机及采用该刻蚀机进行刻蚀的方法,用于解决现有技术的湿法刻蚀机,当生产工艺中需要总刻蚀时间大于基板不停留情况下的传送时间时,需要增加停留时间造成刻蚀的生产节拍降低,或者需要增加串联刻蚀腔室的个数,造成占地面积较大的问题。
本发明提供一种湿法刻蚀机,包括刻蚀腔室,其中,所述刻蚀腔室内设置有至少两个刻蚀层,各个所述刻蚀层由上至下依次层叠设置,且每一所述刻蚀层包括:用于放置及传送待刻蚀基板的第一传送载体以及设置于所述第一传送载体正上方、用于喷涂刻蚀药液的喷淋装置。
优选地,上述所述的湿法刻蚀机,其中,所述湿法刻蚀机还包括:
设置于所述刻蚀腔室的第一侧的缓冲腔室,所述缓冲腔室内设置有用于将待刻蚀基板传送至所述刻蚀腔室内的第二传送载体;
设置于所述刻蚀腔室的第二侧的清洗腔室,所述清洗腔室内设置有用于从所述第一传送载体接收刻蚀后基板的第三传送载体以及对所述第三传送载体上的刻蚀后基板进行清洗的清洗腔室。
优选地,上述所述的湿法刻蚀机,其中,所述湿法刻蚀机还包括:
升降结构,用于使其中一所述刻蚀层的所述第一传送载体的承载表面与所述第二传送载体的承载表面位于同一平面,以使所述第二传送载体上的待刻蚀基板水平传送至所述第一传送载体;以及用于使其中一所述刻蚀层的所述第一传送载体的承载表面与所述第三传送载体的承载表面位于同一平面,使所述第一传送载体上的刻蚀后基板水平传送至所述第三传送载体。
优选地,上述所述的湿法刻蚀机,其中,各个所述刻蚀层设置于一个容置盒体内,所述升降结构与所述容置盒体连接,用于驱动所述容置盒体上、下移动,使其中一所述刻蚀层的所述第一传送载体的承载表面与所述第二传送载体的承载表面位于同一平面或与所述第三传送载体的承载表面位于同一平面。
优选地,上述所述的湿法刻蚀机,其中,所述升降结构包括:
第一升降结构,与所述第二传送载体连接,用于驱动所述第二传送载体上、下移动,使其中一所述刻蚀层的所述第一传送载体的承载表面与所述第二传送载体的承载表面位于同一平面;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造