[发明专利]一种利用脉冲激光沉积镀膜技术制备铁硒碲薄膜的方法

权利要求书

1.一种利用脉冲激光沉积镀膜技术制备铁硒碲薄膜的方法，其特征在于，具体制备步骤如下:

a)将Fe、Se和Te粉末按一定的摩尔比混合研磨均匀；

b)将研磨后的粉末在真空石英管中700℃烧结24小时后，降温至400℃时进行淬火处理；

c)将步骤b)烧结后的铁硒碲再次研磨成粉，再压制成所需靶材的大小；

d)把压制好的在真空石英管中700℃烧结24小时后，降温至400℃时进行淬火处理，得到靶材；

e)将衬底和制备好的靶材放入生长腔，抽真空至10^-8mbar，通过衬底架中的加热丝给衬底加热至所需温度，等待至温度稳定，气压至10^-7mbar左右；

f)调整激光参数，设置适当的激光能量、激光频率；

g)对靶材进行预处理，在靶材和衬底之间加入挡板后，使用激光打击靶材两分钟；

h)开始激光沉积镀膜，使靶材不断转动以保持打击均匀，根据所需薄膜厚度控制沉积时间；

i)生长完成后，关闭加热器，使薄膜在真空腔中自然冷却至室温后取出，得到铁硒碲薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种利用脉冲激光沉积镀膜法制备铁硒碲薄膜的方法，其特征在于，所述Fe、Se和Te粉末的摩尔比为：1:0.5:0.5或者1:0.7:0.3。