[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和除显示区之外的非显示区，其特征在于，方法包括：

在衬底基板上形成源漏极金属层，所述源漏极金属层包括位于所述显示区的薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及位于所述非显示区的第一电极；

在所述源漏极金属层之上形成保护层，使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度；

在所述保护层之上形成阴极层，去除位于所述非显示区的所述阴极层；

去除位于所述非显示区的所述保护层。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成源漏极金属层，所述源漏极金属层包括位于所述显示区的薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及位于所述非显示区的第一电极，包括：

以铝薄膜、钼薄膜和钨薄膜中任意一种单层膜层或至少两种构成的复合膜层形成源漏极金属薄膜，或者以铝、钼和钨中至少两种的合金形成源漏极金属薄膜；

通过一道构图工艺使所述源漏极金属薄膜形成包括所述第一电极、所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的源漏极金属层。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述源漏极金属层之上形成保护层，使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度，包括：

在所述源漏极金属层之上形成平坦化膜层，通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述源漏极金属层之上形成平坦化膜层，通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度，具体包括：

以有机光阻材料在所述源漏极金属层之上形成厚度为8000埃～20000埃的所述平坦化膜层作为所述保护层，

通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层减薄至厚度为1000埃～8000埃。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述保护层之上形成阴极层，去除位于所述非显示区的所述阴极层，包括：

通过溅射或蒸镀工艺在所述保护层之上形成阴极层，通过一道构图工艺，去除位于所述非显示区的所述阴极层。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除位于所述非显示区的所述保护层，包括：

在所述阴极层之上形成像素定义层，采用灰化工艺去除所述非显示区内所述像素定义层的图形覆盖之外的所述保护层。

7.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1至6任一项所述的制备方法制备。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极的厚度为1000埃～5000埃。

9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阴极层包括阴极金属层和形成于所述阴极金属层之上的像素电极层，所述阴极金属层的材料包括银或银合金，所述阴极层的厚度为1000埃～5000埃。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求7至9任一项所述的阵列基板。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。