[发明专利]半导体芯片

权利要求书

1.一种半导体芯片，具有其中消耗第一电流的第一操作模式和其中消耗大于所述第一电流的第二电流的第二操作模式，所述半导体芯片包括：

参考电压产生电路，用于产生第一参考电压；

第一调节器，具有第一电流驱动能力并且基于所述第一参考电压产生电源电压；

电压缓冲器，用于产生与所述第一参考电压相应水平的第二参考电压；

第二调节器，具有高于所述第一电流驱动能力的第二电流驱动能力，并且基于所述第二参考电压产生所述电源电压；以及

内部电路，由所述第一调节器和所述第二调节器所产生的所述电源电压驱动，并且执行所述第一操作模式和所述第二操作模式，

其中所述第二调节器被提供成靠近所述内部电路，

其中所述第一调节器和所述电压缓冲器被提供成靠近所述参考电压产生电路，

其中所述电压缓冲器被提供在所述参考电压产生电路与所述第二调节器之间，并且

其中在所述第一操作模式中使所述电压缓冲器和所述第二调节器去激活。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，进一步包括：

电流源，所述电流源产生恒定电流，并且输出第一偏置电压和第二偏置电压，所述第一偏置电压和所述第二偏置电压用于向第一导电类型的晶体管和第二导电类型的晶体管传递与所述恒定电流相应水平的电流；以及

电压源，所述电压源基于所述第一偏置电压和所述第二偏置电压产生恒定电压，

其中所述参考电压产生电路基于所述恒定电压产生所述第一参考电压，并且

其中所述电流源和所述电压源被提供成靠近所述参考电压产生电路。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中所述参考电压产生电路基于所述第一偏置电压和所述第二偏置电压中的至少一个进行操作。

4.根据权利要求3所述的半导体芯片，进一步包括：电流缓冲器，所述电流缓冲器产生与所述第一偏置电压相应水平的第三偏置电压，

其中所述第一调节器基于所述第一偏置电压进行操作，所述第二调节器基于所述第三偏置电压进行操作，

其中所述电流缓冲器被提供成靠近所述参考电压产生电路，并且

其中在所述第一操作模式使所述电流缓冲器去激活。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其中所述第一调节器基于所述第一偏置电压产生第四偏置电压，所述第四偏置电压用于向第二导电类型的晶体管传递与所述恒定电流相应水平的电流，并且所述第一调节器基于所述第一偏置电压和所述第四偏置电压进行操作。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片，其中所述第二调节器基于所述第三偏置电压产生第五偏置电压，所述第五偏置电压用于向第二导电类型的晶体管传递与所述恒定电流相应水平的电流，并且所述第二调节器基于所述第三偏置电压和所述第五偏置电压进行操作。

7.根据权利要求6所述的半导体芯片，其中所述电流源在所述第一操作模式中产生第一水平的恒定电流，并且在所述第二操作模式中产生高于所述第一水平的第二水平的恒定电流。