[发明专利]半导体芯片

说明书

本申请是于2011年8月10日提交的、发明名称为“半导体芯片”的中国发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

这里通过参考引入2010年8月26日提交的日本专利申请No.2010-189352的全部公开内容，包括说明书、附图和摘要。

技术领域

本发明涉及半导体芯片，更加具体地说，本发明涉及具有不同的消耗电流的第一操作模式和第二操作模式的半导体芯片。

背景技术

存在消耗第一电流的第一操作模式和消耗大于第一电流的第二电流的第二操作模式的半导体芯片(例如参见日本未经审查专利公开No.2001-211640)。

半导体芯片具有：用于产生参考电压的参考电压产生电路、用于根据参考电压产生电源电压的第一调节器和第二调节器以及由通过第一调节器和第二调节器产生的电源电压驱动并且执行第一操作模式和第二操作模式的内部电路。

第一调节器具有第一电流驱动能力，并且第二调节器具有高于第一电流驱动能力的第二电流驱动能力。在第一操作模式和第二操作模式中，分别激活第一调节器和第二调节器，由此减小了消耗电流。

发明内容

但是在相关领域中的半导体芯片却存在如下一个问题：在第二调节器和内部电路之间的电源线路中发生了电压降(电流降)，并且因此电源电压下降。作为对抗措施，存在缩短电源线路的方法：布置第二调节器，使其远离参考电压产生电路并且靠近内部电路。

但在这个方法中，在参考电压产生电路和第二调节器之间的线路变得很长，并且在参考电压中产生了噪声。当参考电压产生电路的电流驱动能力增加时，可以抑制参考电压中的噪声，但消耗电流增加了。

因此，本发明的一个主要目的是提供对噪声不敏感并且消耗电流小的半导体芯片。

本发明涉及具有消耗第一电流的第一操作模式和消耗大于第一电流的第二电流的第二操作模式的半导体芯片，该半导体芯片包括：用于产生第一参考电压的参考电压产生电路；具有第一电流驱动能力并基于第一参考电压产生电源电压的第一调节器；用于产生与第一参考电压相应水平的第二参考电压的电压缓冲器；具有高于第一电流驱动能力的第二电流驱动能力并且基于第二参考电压产生电源电压的第二调节器；以及内部电路，由第一调节器和第二调节器产生的电源电压驱动，并且执行第一操作模式和第二操作模式。第一调节器和电压缓冲器被提供成靠近参考电压产生电路，第二调节器被提供成靠近内部电路。在第一操作模式中使所述电压缓冲器和所述第二调节器去激活。

在根据本发明所述的半导体芯片中，所述电压缓冲器提供在参考电压产生电路和第二调节器之间。在第一操作模式中，使所述电压缓冲器和所述第二调节器去激活。因此，在参考电压中的噪声受到了抑制，并且可以减小消耗电流。

附图说明

图1是方块图，示出了根据本发明的实施例的半导体芯片的配置；

图2是电路图，示出了图1中所示的电流源的配置；

图3是电路图，示出了图1中所示的参考电压产生电路的配置；

图4是电路图，示出了图1中所示的电流缓冲器的配置；

图5是电路图，示出了图1中所示的电压缓冲器的配置；

图6是电路图，示出了图1中所示的调节器RA1的配置；

图7是电路图，示出了图1中所示的调节器RB1的配置；

图8是电路图，示出了实施例的修改；

图9是电路图，示出了实施例的另一种修改；

图10是电路图，示出了实施例的又一种修改；

图11是电路图，示出了实施例的又一种修改；

图12是电路图，示出了实施例的又一种修改；

图13是电路图，示出了实施例的又一种修改。

具体实施方式

实施例的半导体芯片具有一个芯片上电源，该电源用于基于外部电源电压VCC产生内部电源电压VDD。半导体芯片具有以高速(如50兆赫兹)操作的高速操作模式和以低速(如32千赫兹)操作的低速操作模式。在高速操作模式中的消耗电流大于在低速操作模式中的消耗电流。