[发明专利]发光元件、发光装置及电子设备有效

专利信息
申请号: 201510266631.2 申请日: 2009-11-16
公开(公告)号: CN104835917B 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 井上英子;大泽信晴;濑尾哲史 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;C07F15/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 项丹
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种发光元件,包括:

第一电极;

所述第一电极上的发光层;以及

所述发光层上的第二电极,

其中:

所述发光层包括由以下通式表示的化合物:

R1~R15分别表示氢或具有1~4个碳原子的烷基;

R21和R22中的一个表示具有2~4个碳原子的烷基,且R21和R22中的另一个表示具有1~4个碳原子的烷基;

n是2;以及

M是铱。

2.根据权利要求1所述的发光元件,

其中,所述化合物由以下通式表示:

3.根据权利要求1所述的发光元件,

其中,所述发光层还包括所述化合物分散在内的物质。

4.一种发光元件,包括:

第一电极;

所述第一电极上的第一发光层;

所述第一发光层上的第二发光层;以及

所述第二发光层上的第二电极,

其中:

所述第二发光层包括由以下通式表示的化合物:

R1~R15分别表示氢或具有1~4个碳原子的烷基;

R21和R22中的一个表示具有2~4个碳原子的烷基,且R21和R22中的另一个表示具有1~4个碳原子的烷基;

n是2;以及

M是铱。

5.根据权利要求4所述的发光元件,

其中,所述化合物由以下通式表示:

6.根据权利要求4所述的发光元件,

其中,所述第一发光层包括在450nm到510nm的区域内呈现发光峰值的发光物质。

7.根据权利要求4所述的发光元件,还包括:

将所述第一发光层和所述第二发光层彼此分离的层。

8.根据权利要求4所述的发光元件,还包括:

位于所述第一发光层和所述第二发光层之间的N层和P层。

9.根据权利要求8所述的发光元件,

其中,所述P层位于所述N层上。

10.一种包括根据权利要求1和4中任一个所述的发光元件的发光装置。

11.一种包括根据权利要求10所述的发光装置的电子设备。

12.一种包括根据权利要求1和4中任一个所述的发光元件的照明装置。

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