[发明专利]发光元件、发光装置及电子设备有效
申请号: | 201510266631.2 | 申请日: | 2009-11-16 |
公开(公告)号: | CN104835917B | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 井上英子;大泽信晴;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;C07F15/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 项丹 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 电子设备 | ||
1.一种发光元件,包括:
第一电极;
所述第一电极上的发光层;以及
所述发光层上的第二电极,
其中:
所述发光层包括由以下通式表示的化合物:
R1~R15分别表示氢或具有1~4个碳原子的烷基;
R21和R22中的一个表示具有2~4个碳原子的烷基,且R21和R22中的另一个表示具有1~4个碳原子的烷基;
n是2;以及
M是铱。
2.根据权利要求1所述的发光元件,
其中,所述化合物由以下通式表示:
3.根据权利要求1所述的发光元件,
其中,所述发光层还包括所述化合物分散在内的物质。
4.一种发光元件,包括:
第一电极;
所述第一电极上的第一发光层;
所述第一发光层上的第二发光层;以及
所述第二发光层上的第二电极,
其中:
所述第二发光层包括由以下通式表示的化合物:
R1~R15分别表示氢或具有1~4个碳原子的烷基;
R21和R22中的一个表示具有2~4个碳原子的烷基,且R21和R22中的另一个表示具有1~4个碳原子的烷基;
n是2;以及
M是铱。
5.根据权利要求4所述的发光元件,
其中,所述化合物由以下通式表示:
6.根据权利要求4所述的发光元件,
其中,所述第一发光层包括在450nm到510nm的区域内呈现发光峰值的发光物质。
7.根据权利要求4所述的发光元件,还包括:
将所述第一发光层和所述第二发光层彼此分离的层。
8.根据权利要求4所述的发光元件,还包括:
位于所述第一发光层和所述第二发光层之间的N层和P层。
9.根据权利要求8所述的发光元件,
其中,所述P层位于所述N层上。
10.一种包括根据权利要求1和4中任一个所述的发光元件的发光装置。
11.一种包括根据权利要求10所述的发光装置的电子设备。
12.一种包括根据权利要求1和4中任一个所述的发光元件的照明装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择