[发明专利]发光元件、发光装置及电子设备有效
申请号: | 201510266631.2 | 申请日: | 2009-11-16 |
公开(公告)号: | CN104835917B | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 井上英子;大泽信晴;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;C07F15/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 项丹 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 电子设备 | ||
本发明涉及发光元件、发光装置及电子设备。因为被人眼感知为优质的红色的光的波长为620nm附近的波长,所以本发明的课题在于提供于620nm附近具有发射光的峰值的发光元件。此外,本发明的课题还在于提供可获得光视效率高的红色的发射光的发光元件。本发明提供将以下述通式(G1)表示的有机金属配合物用作客体材料并将低分子化合物用作主体材料而形成的发光元件、发光装置、电子设备。
本发明专利申请是申请日为2009年11月16日,申请号为200910223199.3,发明名称为“发光元件、发光装置及电子设备”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
下面所揭示的发明涉及使用磷光化合物的发光元件。此外,下面所揭示的发明还涉及使用所述发光元件的发光装置及使用该发光装置的电子设备。
背景技术
近年来,对将具有发光性的有机化合物及无机化合物用作发光物质的发光元件正在进行积极的开发。尤其,被称为EL元件的发光元件的构成是只在电极之间设置包含发光物质的发光层的简单结构,并且因为具有薄而轻、高速响应以及直流低电压驱动等特性而作为下一代的平板显示元件受到注目。此外,使用这种发光元件的显示器还具有对比度和画质良好、视角宽的特点。另外,因为这些发光元件是面状光源,所以还被考虑用作液晶显示器的背光源或照明等的光源。
在发光物质是具有发光性的有机化合物的情况下,发光元件的发光机理属于载流子注入型。即,通过在电极之间夹持发光层并施加电压,从电极注入的载流子(空穴及电子)复合,发光物质达到激发态,当该激发态返回至基态时发光。另外,作为激发态的种类,可以是单重激发态(S*)和三重激发态(T*)。此外,在发光元件中,单重激发态和三重激发态的统计学上的生成比例被认为是S*:T*=1:3。
具有发光性的有机化合物的基态通常是单重激发态。因此,来自单重激发态(S*)的发射光因是在相同的多重态之间的电子跃迁而被称为荧光。另一方面,来自三重激发态(T*)的发射光因是不同的多重性之间的电子跃迁而被称为磷光。在这里,将单重激发态转换为发射光的化合物(以下称为荧光化合物)在室温下通常观察不到来自三重激发态的发射光(磷光),而仅观察到来自单重激发态的发射光(荧光)。因此,基于S*:T*=1:3,使用荧光化合物的发光元件中的内量子效率(所产生的光子相对于注入的载流子的比例)的理论上的极限被认为是25%。
另一方面,如果使用将三重激发态和基态的能量差(三重激发能)转换为发射光而发射磷光的化合物(以下称为磷光化合物),则内量子效率在理论上可达到75~100%。换言之,可以实现荧光化合物的3~4倍的发光效率。根据这些理由,为了实现高效率的发光元件,提出了使用磷光化合物的发光元件(例如非专利文献1)。还有,在非专利文献1中,将以2-(2'-苯并[4,5-a]噻吩基)吡啶为配体的铱配合物([btp2Ir(acac)])用作磷光化合物。
此外,本发明人提出了一种使用以下述结构式(50)表示的有机金属配合物、即(乙酰丙酮)双(2,3,5-三苯基吡嗪)合铱(Ⅲ)(简称:[Ir(tppr)2(acac)])的发光元件(专利文献1)。通过使用以结构式(50)表示的有机金属配合物制造发光元件,可以获得发光效率高的红色的发光元件。
专利文献1:]日本专利特开2007-284432号公报
非专利文献1:Chihaya Adachi以及其他五名,Applied Physics Letters,Vol.78,No.11,1622-1624(2001)
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择