[发明专利]半导体模块有效

专利信息
申请号: 201510266831.8 申请日: 2015-05-22
公开(公告)号: CN105097756B 公开(公告)日: 2018-02-02
发明(设计)人: A·阿伦斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/48
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 郑立柱,管志华
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 模块
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体模块。

背景技术

在传统的半导体模块之中通常使用半导体芯片,其分别具有两个负载连接端,这两个负载连接端被设置在所涉及的半导体芯片的相互对置的侧之上。为了其电气布线该半导体芯片将被安装在载体基体之上。为此,该半导体芯片在其负载连接端处被焊接至该载体基体的金属化层之上,而该些负载连接端中的另一个负载连接端通过一个或者多个键合金属丝(Bonddraht)而加以连接。此外,由于使用了键合金属丝,此类的半导体模块具有高的电感,该电感在该半导体模块运行期间能够导致不被期望的过压。

发明内容

本发明的任务在于提供一种低电感的半导体模块。该任务通过依据本发明的半导体模块而得以解决。

此类的半导体模块包括具有结构化的第一金属化层和结构化的第二金属化层的电路板,以及至少一个嵌入在所述电路板之中的第一半导体芯片和至少一个嵌入在所述电路板之中的第二半导体芯片。第一金属化层包括第一分段和第二分段,并且第二金属化层包括第一分段、第二分段和第三分段。第一半导体芯片中的每个和第二半导体芯片中的每个包括第一负载连接端和第二负载连接端。此外,所述第二金属化层的所述第一分段包括具有多个第一突出部的梳型的结构,并且所述第一金属化层的所述第二分段包括具有多个第二突出部的梳型的结构。

为了使得所述第二金属化层的所述第一分段和所述第一金属化层的所述第二分段相互导电地加以连接,所述电路板包括一定数量的第一通孔接触,其中每个第一通孔接触既在所述第一突出部中的每个处与所述第二金属化层的所述第一分段持续地导电连接,也在所述第二突出部中的每个处与所述第一金属化层的所述第二分段持续地导电连接。

附图说明

接下来将借助于多个实施例在参照所附的附图的情况下阐述本发明。其中:

图1示出了具有半导体模块和中间电路模块的半导体装置的电路图。

图2A示出了半导体模块的顶视图。

图2B示出了依据图2A的半导体模块以切面E1-E1形成的横截面图示。

图2C示出了依据图2A的半导体模块以切面E2-E2形成的横截面图示。

图3示出了依据图2A的半导体模块的电路板的第一金属化层的顶视图。

图4示出了依据图2A的半导体模块的电路板的第二金属化层的顶视图。

图5示出了具有依据图2B的半导体模块和连接至该半导体模块的中间电路电容器模块的半导体模块装置的横截面图示。

只要并未特殊说明,在附图中相同的附图标记描述相同或者相似功能的元件。

具体实施方式

图1示出了具有半导体模块10和中间电路电容器模块20的半导体模块装置的电路图。该半导体模块10包括具有至少一个第一半导体芯片1和至少一个第二半导体芯片2的半桥电路。在多于一个半导体芯片1的情况下,多个第一半导体芯片1并联地电连接。相应地,在多于一个第二半导体芯片2的情况下,多个第二半导体芯片2并联地电连接。在所示出的示例之中,多个第一半导体芯片1和多个第二半导体芯片2被构造为多个金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。同样地,多个第一半导体芯片1和多个第二半导体芯片2也能够被构造为多个绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、被构造为晶闸管或者任一其他可控的半导体构件或者被构造为二极管。原则上来说,多个第一和第二半导体芯片1、2也能够包含不同类型的半导体构件。

每个第一半导体芯片1包括第一负载连接端11和第二负载连接端12。每个第二半导体芯片2也包括第一负载连接端21和第二负载连接端22。第一或者第二半导体芯片的第一和第二负载连接端例如能够为半导体芯片的漏极连接端和源极连接端,或者为源极连接端和漏极连接端,或者为发射极连接端和集电极连接端,或者为集电极连接端和发射极连接端,或者为阳极连接端和阴极连接端,或者为阴极连接端和阳极连接端。

可选地,第一半导体芯片1能够还相应地包括控制连接端13,和/或第二半导体芯片2能够可选地相应地还包括控制连接端23。这样的控制连接端13、23能够为栅极或者基极连接端。借助于控制连接端能够接通(导电的状态)或者关断(电截止的状态)在第一和第二负载连接端之间同样构造为半导体芯片的负载路径。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510266831.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top