[发明专利]电感器及形成电感器的方法在审
申请号: | 201510266928.9 | 申请日: | 2015-05-22 |
公开(公告)号: | CN105097789A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | B·兰德格拉夫;M·霍弗 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 诺伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电感器 形成 方法 | ||
技术领域
各种实施例总地涉及电感器及形成电感器的方法。
背景技术
例如图11中所示,用于半导体器件的电感器1可以由平面线圈M1到M4来形成,即通过实施在与半导体器件的主表面平行的平面内盘绕的电连接的分段来形成。电感L可以通过L~N2×A来给出,其中N为线圈的匝数(也称为环数),并且A为有效面积。在这种电感器1中,匝数是有限的,并且有效面积可能受限。
发明内容
提供一种用于半导体器件的电感器,该电感器可以包括:多个结构化的金属化层,其中所述多个结构化的金属化层至少包括第一金属化层、安置在第一金属化层之上的第二金属化层、安置在第二金属化层之上的第三金属化层以及安置在第三金属化层之上的第四金属化层;其中第一金属化层的部分和第四金属化层的部分形成第一线圈;其中第二金属化层的部分和第三金属化层的部分形成第二线圈;以及其中第二线圈布置在由第一线圈限定的内部空间之内。
附图说明
在附图中,贯穿不同视图的相同的参考符号一般指代相同的部分。附图并非按照比例,而是通常强调的是图示本发明的原理。在接下来的描述中,参照下面的附图对本发明的各种实施例进行描述,其中:
图1A示出了根据各种实施例的电感器的线圈;
图1B、图1C以及图1D示出了根据各种实施例的结构化的金属化层的区域的配置的示意图;
图2示出了根据各种实施例的电感器的线圈;
图3A和图3B示出了根据各种实施例的电感器的示意性透视图和示意性横截面图;
图4示出了根据各种实施例的电感器的示意性横截面;
图5示出了根据各种实施例的电感器的一端的示意性示图;
图6示出了根据各种实施例的电感器的一端的示意性示图;
图7示出了形成用于半导体器件的电感器的方法的示意图;
图8A到图8I示出了形成用于半导体器件的电感器的方法的工艺流程;
图9示出了形成用于半导体器件的电感器的方法的示意图;
图10A到图10E示出了形成用于半导体器件的电感器的方法的工艺流程;以及
图11示出了电感器的示意性透视图。
具体实施方式
下面的详细描述参照附图,附图通过图示的方式示出了其中可以实施本发明的特定细节和实施例。
这里使用词语“示例性”来意指“作为例子、示例或图示”。这里描述为“示例性”的任何实施例或设计不是必然被认为是相对于其他实施例或设计为优选的或具有优势的。
关于形成在侧面或表面“之上”的经沉积的材料而使用的词语“之上”,可以在此用来意指经沉积的材料可以“直接形成在所暗含的侧面或表面上”,例如与所暗含的侧面或表面直接接触。关于形成在侧面或表面“之上”的经沉积的材料而使用的词语“之上”,可以在此用来意指经沉积的材料可以在所暗含的侧面或表面与经沉积的材料之间布置有一个或多个附加层的情况下“间接地形成在所暗含的侧面或表面上”。
图1A示出了根据各种实施例的电感器的第一线圈100。作为例子,第一线圈100可以被包括在如图3所示的电感器301中。
在各种实施例中,电感器可以被包括在半导体器件或集成单片电路中或是作为半导体器件或集成单片电路的一部分。
在各种实施例中,第一线圈100可以包括第一金属化层1020。所述第一金属化层1020可以是结构化的金属化层。第一金属化层1020的一部分可以被构造以形成多个区域1021、1022、1023、1024、…102n。在其中知晓所提及的是第一金属化层1020的哪个特定区域并不重要的情形中,可以省略下标,并且第一金属化层1020的各个区域中的任一个都可以例如被称为“第一金属化层的该区域102/一个区域102/一区域102”,或者第一金属化层1020的所有区域1021、1022、1023、1024、…102n或这些区域的一个子集例如可以被称为“第一金属化层的该区域102/一些区域102”。
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