[发明专利]非挥发性记忆单元以及非挥发性记忆装置

权利要求书

1.一种非挥发性记忆单元，其特征在于，包含：

一锁存结构，其具有一储存节点与一反向储存节点，用以在该非挥发性记忆单元于一工作电压下，储存一对位数据，该锁存结构电性耦接至一字符读取线；

一第一读写电路，电性耦接至一位线、一第一控制线与该锁存结构；

一第二读写电路，电性耦接至一反位线、该第一控制线与该锁存结构；

一第一忆阻器，电性耦接至该第一读写电路与一第二控制线；以及

一第二忆阻器，电性耦接至该第二读写电路与该第二控制线；

其中，该第一读写电路包含一第五晶体管与一第六晶体管，该第二读写电路包含一第七晶体管与一第八晶体管，

该第五晶体管、该第六晶体管、该第七晶体管以及该第八晶体管各自均具有第一端、第二端与控制端，

该第五晶体管，其第二端耦接至一系统接地端，其控制端耦接至该第一控制线，

该第六晶体管，其第二端耦接至该第一忆阻器，其控制端耦接至该位线，

该第五晶体管的第一端与该第六晶体管的第一端连接，并电性耦接至该锁存结构，

该第七晶体管，其第二端耦接至该系统接地端，其控制端耦接至该第一控制线，

该第八晶体管，其第二端耦接至该第二忆阻器，其控制端耦接至该反位线，以及

该第七晶体管的第一端与第八晶体管的第一端连接，并电性耦接至该锁存结构；

其中，在该非挥发性记忆单元于断电状态下，该第一忆阻器、该第二忆阻器用以储存该对位数据；

当该字符读取线的电压准位为该工作电压时，该位线、该第一控制线与该第二控制线控制该第一读写电路，以将该储存节点的数据写入该第一忆阻器，或将该第一忆阻器的数据读取至该储存节点，该反位线、该第一控制线与该第二控制线控制该第二读写电路，以将该反向储存节点的数据写入该第二忆阻器，或将该第二忆阻器的数据读取至该反向储存节点。

2.根据权利要求1所述的非挥发性记忆单元，其特征在于，该锁存结构包含：

一第一反向器，具有一输出端与一输入端；以及

一第二反向器，具有一输出端与一输入端；

其中，该第一反向器的输出端耦接至该第二反向器的输入端，该第二反向器的输出端耦接至该第一反向器的输入端，以形成交错耦合，该第一反向器的输出端为该锁存结构的该储存节点，该第二反向器的输出端为该锁存结构的该反向储存节点。

3.根据权利要求2所述的非挥发性记忆单元，其特征在于，该第一反向器包含一第一晶体管与一第二晶体管，该第二反向器包含一第三晶体管与一第四晶体管，

该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管以及该第四晶体管各自均具有第一端、第二端与控制端，

该第一晶体管的第二端与该第二晶体管的第一端连接，并电性耦接至该第一反向器的输出端，该第一晶体管的控制端与该第二晶体管的控制端连接，并电性耦接至该第一反向器的输入端，该第一晶体管的第一端电性耦接至该字符读取线，

该第三晶体管的第二端与该第四晶体管的第一端连接，并电性耦接至该第二反向器的输出端，该第三晶体管的控制端与该第四晶体管的控制端连接，并电性耦接至该第二反向器的输入端，该第三晶体管的第一端电性耦接至该字符读取线。

4.根据权利要求2所述的非挥发性记忆单元，其特征在于，该第一忆阻器经写入操作而具有一第一阻值，该第二忆阻器经写入操作而具有一第二阻值。

5.根据权利要求4所述的非挥发性记忆单元，其特征在于，该第一忆阻器与该第二忆阻器包含相变化记忆体。

6.根据权利要求4所述的非挥发性记忆单元，其特征在于，

当该非挥发性记忆单元进行一恢复操作以读取一非挥发性位数据时，该位线及该反位线将该第六晶体管与该第八晶体管导通；

该第一控制线维持低电压准位以关断该第五晶体管与第七晶体管；

该字符读取线由低电压准位提升至该工作电压，使该第一反向器的该储存节点电位与该第二反向器的该反储存节点电位暂态提升；据此，

该储存节点电位与该反储存节点电位基于该第一阻值与该第二阻值之间的阻值差异而分别趋向高准位或低准位。