[发明专利]使用MOS装置对寄生电容的中和

权利要求书

1.一种用于中和寄生电容的设备，其包括：

第一PMOS晶体管，其具有连接到第一节点的源极、连接到第二节点的漏极及连接到第三节点的栅极；

第二PMOS晶体管，其具有连接到所述第一节点的源极、连接到第四节点的漏极及连接到第五节点的栅极；

第一NMOS晶体管，其具有连接到第六节点的源极、连接到所述第二节点的漏极及连接到第七节点的栅极；

第二NMOS晶体管，其具有连接到所述第六节点的源极、连接到所述第四节点的漏极及连接到第八节点的栅极；

第一MOS差分中和装置，其连接在所述第三节点与所述第四节点之间；

第二MOS差分中和装置，其连接在所述第五节点与所述第二节点之间；

第三MOS差分中和装置，其连接在所述第七节点与所述第四节点之间；以及

第四MOS差分中和装置，其连接在所述第八节点与所述第二节点之间，其中所述第一到第四MOS差分中和装置包括PMOS电容器。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述PMOS电容器中的每一者具有连接到电力供应电压的主体。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一MOS差分中和装置及第二MOS差分中和装置均包括NMOS或PMOS电容器，且所述第三MOS差分中和装置及第四MOS差分中和装置均包括NMOS或PMOS电容器。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一节点连接到供应电压且所述第六节点连接到接地。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一到第四MOS差分中和装置中的至少一者包括连同所述第一PMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管、所述第一NMOS晶体管、所述第二NMOS晶体管中的至少一者的氧化物层而形成的氧化物层。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管及所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管形成H桥。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管及所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管形成差分放大器。

8.一种用于中和寄生电容的设备，其包括：

差分放大器，其包括并联布置的第一MOS晶体管及第二MOS晶体管，所述第一MOS晶体管包括在输入信号的差分对中接收正输入信号的栅极、在输出信号的差分对中输出负输出信号的漏极以及连接到参考电压的源极，且所述第二MOS晶体管包括在输入信号的所述差分对中接收负输入信号的栅极、在输出信号的所述差分对中输出正输出信号的漏极以及连接到所述参考电压的源极；

第一MOS差分中和装置，其连接在所述第一MOS晶体管的所述栅极与所述第二MOS晶体管的所述漏极之间；以及

第二MOS差分中和装置，其连接在所述第二MOS晶体管的所述栅极与所述第一MOS晶体管的所述漏极之间，

其中所述第一MOS差分中和装置和第二MOS差分中和装置各自包括PMOS晶体管。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第一MOS差分中和装置及第二MOS差分中和装置中的每一者包括NMOS晶体管或PMOS晶体管。

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述差分放大器进一步包括额外的MOS晶体管，所述额外的MOS晶体管与所述第一MOS晶体管及所述第二MOS晶体管一起布置在H桥配置中。