[发明专利]用于涂敷工件的方法

权利要求书

1.一种用于涂敷工件的方法，所述方法包括：

提供被涂覆有至少一个氧化物层作为最上层的工件；

对所述工件进行干燥，其中在所述工件的干燥期间，并入在氧化物层中的湿气进行释气；

在对所述工件进行干燥之后，利用真空夹盘卡夹已干燥的所述工件；

在已干燥的所述工件的最上层上沉积介电层，其中已干燥的所述工件在沉积处理期间被利用真空夹盘保持到位；

其中，所述工件在干燥处理期间、在卡夹处理期间并且在沉积处理期间连续地经受比大气压力更低的压力，

其中对所述工件进行干燥包括对所述至少一个氧化物层进行干燥从而减少或释放所述工件的晶片翘曲。

2.如权利要求1所述的方法，

其中，所述工件包括半导体晶片。

3.如权利要求1所述的方法，

其中，最上氧化物层包括四乙基正硅酸盐层。

4.如权利要求1所述的方法，

其中，最上氧化物层包括低压力化学气相沉积的四乙基正硅酸盐层。

5.如权利要求1所述的方法，

其中，介电层包括硼磷酸硅酸盐玻璃。

6.如权利要求1所述的方法，

其中，所述介电层包括亚大气硼磷酸硅酸盐玻璃。

7.如权利要求1所述的方法，

其中，干燥处理和沉积处理发生在同一真空腔室中。

8.如权利要求1所述的方法，

其中，干燥处理和沉积处理发生在不同的真空腔室中。

9.如权利要求1所述的方法，

其中，所述工件在干燥处理与沉积处理之间不被卸载到大气。

10.如权利要求1所述的方法，

其中，在至少470℃的温度执行干燥处理。

11.如权利要求1所述的方法，

其中，执行干燥处理达至少1分钟。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述介电层具有带有小于5%的非均匀性的均匀层厚度。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述工件贯穿于干燥处理和沉积处理经受0.1托的压力。