[发明专利]用于涂敷工件的方法

说明书

公开了一种用于涂敷工件的方法。在各个实施例中，提供用于涂敷工件的方法。所述方法可以包括：对工件进行干燥，所述工件被涂敷有至少一个氧化物层作为最上层；在已干燥的工件的最上层上沉积介电层；其中，所述工件在干燥处理期间并且在沉积处理期间连续地经受比大气压力更低的压力。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年5月26日提交的序列号62/002,953的美国临时申请的优先权，该申请在其整体上被通过引用并入于此。

技术领域

各个实施例涉及用于涂敷工件的方法。

背景技术

具有LPCVD（低压力化学气相沉积）TEOS（四乙基正硅酸盐，又称为四乙氧基硅烷）的半导体晶片在处理中显示严重释气，其中，SABPSG（亚大气硼磷酸硅酸盐玻璃）层沉积于其上。与用于紧固要被处理的半导体晶片的真空夹盘有关地，这可能导致如释气可能引起在方位上不对称的晶片翘曲那样的问题。在方位上不对称的晶片翘曲可能妨碍真空卡夹机构进行恰当的操作，即可能不能将半导体晶片保持在其平坦的预先限定的位置中，以用于后续的材料沉积处理。因此，当SABPSG层被沉积于在方位上不对称的翘曲半导体晶片之上时，不得不估算到相当大的膜非均匀性，而在该相当大的膜非均匀性的情况下实际上可能使得半导体晶片为不可用。在SA-CVD（亚大气CVD）腔室中在升高的温度下的卡夹过程期间水从TEOS氧化物的释气可能抑制在晶片之下的恰当的真空形成，这可能影响真空夹盘的工作原理和/或可靠性。

发明内容

在各个实施例中，提供一种用于涂敷工件的方法。所述方法可以包括：对工件进行干燥，所述工件被涂敷有至少一个氧化物层作为最上层；在已干燥的工件的最上层上沉积介电层；其中，所述工件在干燥处理期间并且在沉积处理期间连续地经受比大气压力低的压力。

附图说明

在附图中，同样的参考标记一般贯穿不同视图提及相同的部分。附图并不一定按比例，相反重点一般被放在图解本发明的原理上。在下面的描述中，参照下面的附图描述本发明的各个实施例，其中：

图1示出解释在方位上不对称的翘曲的半导体晶片的顶视图；

图2示出检查一批半导体晶片的在方位上不对称的翘曲的示图；

图3示出检查SABPSG的沉积对真空夹盘的背侧压力的影响的示图；

图4示出根据各个实施例的用于涂敷工件的方法；以及

图5示出根据各个实施例的示例性真空系统。

具体实施方式

下面的详细描述提及以说明的方式示出其中可以实践本发明的具体细节和实施例的随附附图。

词语‌“示例性‌”在此被用于意味着‌“充当示例、实例或说明‌”。在此被描述为‌“示例性‌”的任何实施例或设计不一定要被理解为较之其它实施例或设计是优选的或有利的。

下面的详细描述是基于半导体晶片的，其中，术语“晶片”还被提及为“衬底”。然而，用于涂敷工件的方法不假设为要被限制于该方面。工件可以是各种形状、大小和材料。除了半导体晶片之外，所述用于涂敷工件的方法还可以应用于例如显示器前端面板和印刷电路板等的对象。

图1示出半导体晶片100的顶视图和侧视图的组合视图。具有第一轴102和第二轴104的坐标系统被放置在晶片的上表面100上。坐标系统的交叉处被选取为位于圆形形状的晶片100的中心106。在晶片100的上表面上的顶视图之下，示出其沿着第一轴102的侧视图。