[发明专利]导电材料、透明膜、电子器件和制备导电材料的方法

权利要求书

1.导电材料，其由化学式1表示：

化学式1

M¹_1-aM²_aX₂

其中，在化学式1中，

M¹为选自Ce、Ni和Pd的第一元素；

M²为具有比所述第一元素的原子半径小10％至比所述第一元素的原子半径大10％的原子半径的第二元素；

X为硫属元素，和

0.01≤a≤0.2；和

其中所述导电材料具有层状晶体结构，和

其中当所述第一元素为Ni时，所述第二元素为Mg、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Ga、Ge、Cd、In、Sn、Sb、Tl、Pb、Bi、或Po，

当所述第一元素为Pd时，所述第二元素为Li、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Tc、Ru、Rh、Ag、Cd、In、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、或Pb，和

当所述第一元素为Ce时，所述第二元素为Li、Na、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、或La。

2.根据权利要求1所述的导电材料，其中所述层状晶体结构包括包含所述第一元素和所述硫属元素的金属二硫属化物层，和

其中所述第二元素部分替代所述第一元素。

3.根据权利要求2所述的导电材料，其中所述第二元素设置在相邻的金属二硫属化物层之间。

4.根据权利要求2所述的导电材料，其中所述导电材料的所述层状晶体结构具有比由所述第一元素和所述硫属元素组成的金属二硫属化物的c轴尺寸大0.1％-10％或小0.1％-10％的c轴尺寸。

5.根据权利要求1所述的导电材料，其中在化学式1中，0.04≤a≤0.18。

6.根据权利要求1所述的导电材料，其中所述层状晶体结构包括多个单元晶体层，

其中各单元晶体层包括：

各自包括所述硫属元素的上部层和下部层，和

各自设置在所述上部层和所述下部层之间的所述第一元素和所述第二元素。

7.根据权利要求6所述的导电材料，其中所述导电材料的所述层状晶体结构具有比由所述第一元素和所述硫属元素组成的金属二硫属化物的c轴尺寸大0.1％-10％或小0.1％-10％的c轴尺寸。

8.根据权利要求1所述的导电材料，其中所述导电材料的电导率大于或等于3.0×10⁴西门子/厘米。

9.根据权利要求1所述的导电材料，其中对于小于或等于50nm的厚度，在550纳米的波长处所述导电材料的光透射率大于或等于80％。

10.根据权利要求1所述的导电材料，其中所述导电材料包括多个具有小于或等于200nm的厚度的纳米片，和

其中所述纳米片彼此接触以提供电连接。

11.根据权利要求1所述的导电材料，其中所述导电材料具有1nm-500nm的厚度。

12.根据权利要求11所述的导电材料，其中所述导电材料具有0.01千兆帕-10千兆帕的杨氏模量。

13.透明膜，其包括根据权利要求1-12中任一项所述的导电材料，其中所述透明膜具有小于或等于200nm的厚度。

14.电子器件，其包括根据权利要求1-12中任一项所述的导电材料或根据权利要求13所述的透明膜。