[发明专利]导电材料、透明膜、电子器件和制备导电材料的方法

说明书

本发明公开导电材料、透明膜、电子器件和制备导电材料的方法。所述导电材料包括：选自过渡金属、铂族元素、稀土元素、及其组合的第一元素；具有比所述第一元素的原子半径小10％至比所述第一元素的原子半径大10％的原子半径的第二元素；和硫属元素，其中所述导电材料具有层状晶体结构。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年5月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0064004的优先权和权益，将其全部内容通过参考引入本文中。

技术领域

公开导电材料和电子器件。

背景技术

电子器件例如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管器件和触摸屏面板包括透明导体作为透明电极。

透明导体可根据材料的组成大致分为三种类型。第一种类型是基于有机的透明导体例如导电聚合物，第二种类型是基于氧化物的透明导体例如氧化铟锡(ITO)，且第三种类型是基于金属的透明导体例如金属格栅。

导电聚合物具有高的比电阻和低的透明度且可在暴露于湿气和空气时容易地恶化。由于铟的成本，氧化铟锡(ITO)可增加器件的制造成本，且ITO可限制器件的柔性。由于与基于金属的透明导体的使用有关的复杂的制造工艺，基于金属的透明导体可增加制造成本。因此，仍然存在对于适合用于电器件的改善的导电材料的需要。

发明内容

一个实施方式提供柔性导电材料，其容易地应用于工艺中，并提供高的电导率和高的光透射率。

另一实施方式提供包括所述导电材料的电子器件。

根据一个实施方式，导电材料包括：选自过渡金属、铂族元素、稀土元素、及其组合的第一元素；具有比所述第一元素的原子半径小10％至比所述第一元素的原子半径大10％的原子半径的第二元素；和硫属元素，其中所述导电材料具有层状晶体结构。

所述层状晶体结构可包括包含所述第一元素和所述硫属元素的金属二硫属化物层，和所述第二元素可部分替代所述第一元素。

所述第二元素可设置在相邻的二硫属化物层之间。

所述导电材料的所述层状晶体结构可具有比由所述第一金属和所述硫属元素组成的金属二硫属化物的c轴尺寸大约0.1％-10％或小约0.1％-10％的c轴尺寸。

所述第二元素可对所述金属二硫属化物的所述层状晶体结构进行改性。

基于所述导电材料中的所有元素的总量，可以约0.1-约20摩尔百分数的量包括所述第二元素。

所述导电材料可由化学式1表示。

化学式1

M¹_1-aM²_aX₂

在化学式1中，

M¹为所述第一元素且可选自过渡金属、铂族元素、稀土元素、及其组合，

M²为第二元素且可具有相对于所述第一元素的原子半径的偏差在±10％范围内的原子半径，

X为硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、或其组合，和

0<a<0.5。

在一个实施方式中，化学式1中的a可为0.01≤a≤0.2。