[发明专利]一种改善漏极电流的薄膜晶体管

权利要求书

1.一种改善漏极电流的薄膜晶体管，包括基板、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极及栅极，其特征在于：对所述有源层进行掺杂，掺杂层呈厚度梯度状或掺杂浓度呈梯状;

所述掺杂层厚度梯度从源极至漏极呈低至高或所述掺杂浓度的梯度从源极至漏极呈低至高。

2.根据权利要求1所述的改善漏极电流的薄膜晶体管，其特征在于：所述有源层为无机半导体氧化物或有机半导体材料；所述掺杂为是P型掺杂或n型掺杂。

3.根据权利要求1所述的改善漏极电流的薄膜晶体管，其特征在于：厚度梯度状有源层的制备方法包括以下步骤：通过化学气相沉积法在绝缘层上制备一薄膜；对所述薄膜进行掺杂；掺杂后的薄膜通过离子刻蚀技术形成梯度状的有源层。

4.根据权利要求1所述的改善漏极电流的薄膜晶体管，其特征在于：所述掺杂方法为扩散法或离子注入法。

5.根据权利要求4所述的改善漏极电流的薄膜晶体管，其特征在于：所述离子注入法通过控制注入的剂量和注入的能量进行梯度掺杂；其中掺杂剂量是指杂质原子注入的浓度,其决定了掺杂层导电的强弱；所述注入能量与射程正相关，注入能量越高，杂质原子能穿入半导体层越深，射程越大。

6.根据权利要求4所述的改善漏极电流的薄膜晶体管，其特征在于：所述扩散法通过控制扩散的剂量和扩散的温度进行梯度掺杂；其中掺杂剂量是指杂质原子注入的浓度,其决定了掺杂层导电的强弱；所述扩散温度与扩散距离正相关，扩散温度越高，表示杂质原子能穿入半导体层越深，扩散距离越大。

7.根据权利要求6所述的改善漏极电流的薄膜晶体管，其特征在于：掺杂剂量Q的计算公式为：，其中，Q为掺杂剂量，单位是原子每平方厘米；I为束流，单位是库伦每秒；n为离子电荷；t为注入时间，单位是秒；e为电子电荷；A为注入面积，单位是平方厘米。