[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201510283539.7 | 申请日: | 2015-05-28 |
公开(公告)号: | CN104979375A | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 崔颖;胡春静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示器具有反应速度快、对比度高、视角广等特点,被认为是下一代显示技术。
OLED显示器包括封装基板和衬底基板,衬底基板包括阵列排布的像素单元,如图1所示,每个像素单元包括红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B,每个子像素均包括阳极10、发光层20、阴极30,通常在相邻子像素之间形成有像素界定层40以防止相邻子像素的发光层发出的光互相影响。然而,像素界定层40一般由透光材料形成,则发光层发出的侧向光会射入相邻的子像素中,例如图1所示红色子像素R的发光层发出的侧向光21会射入相邻的绿色子像素G,这会导致漏光以及光色干扰,造成OLED显示器件的出光率和色纯度下降。
为解决上述问题,采用不透光材料形成像素界定层,然而,发明人发现不透光材料一般为具有低介电常数的材料,会造成元件的光电性质下降,同时,发光层发出的侧向光被该不透光的像素界定层吸收,仍造成OLED显示器件的出光率降低。因此现有技术中较少采用不透光材料形成像素界定层,那么,在采用透光材料形成像素界定层的情况下,解决漏光以及光色干扰,进而提高OLED显示器件的出光率和色纯度成了亟待解决的问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,包括该显示基板的显示装置能够有效改善漏光以及光色干扰问题,该显示装置的出光率和色纯度均得到有效提高。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供了一种显示基板,该显示基板包括:透明衬底、形成在所述透明衬底上的像素界定层、位于所述像素界定层所限定的子像素区域中的发光层;所述像素界定层包括:反射层,所述反射层朝向所述显示基板的出光侧呈凸起状,用于将所述发光层射向所述反射层的光反射到所述显示基板的出光侧;在所述像素界定层所在区域内,从所述反射层到所述显示基板的出光侧的部分是透明的。
另一方面,提供了一种显示装置,该显示装置包括上述所述的显示基板。
又一方面,提供了一种显示基板的制作方法,所述方法包括:在透明衬底上形成第一透明层,所述第一透明层在所述像素界定层所在区域形成凸起;在所述凸起上形成反射层;在所述透明衬底上对应所述凸起的位置处形成第一透明部,且所述第一透明部覆盖所述凸起以及所述反射层。
再一方面,提供了另一种显示基板的制作方法,所述方法包括:在透明衬底上形成第二透明层,所述第二透明层在所述像素界定层所在区域形成凹槽;在所述凹槽上形成反射层;在所述透明衬底上对应所述凹槽的位置处形成第二透明部,所述第二透明部的底部填充所述凹槽。
本发明的实施例提供了一种显示基板,该显示基板包括透明衬底、形成在透明衬底上的像素界定层、位于像素界定层所限定的子像素区域中的发光层。像素界定层包括反射层,反射层朝向显示基板的出光侧呈凸起状;在像素界定层所在区域内,从反射层到显示基板的出光侧的部分是透明的。这样,反射层可以将发光层射向反射层的光反射到显示基板的出光侧,从而改变这部分光的传播路径。一方面避免这部分光对相邻子像素形成光色干扰,另一方面这部分光重新射向显示基板的出光侧,使得这部分光再次得到有效利用,极大改善了漏光问题。将上述显示基板应用到显示装置中,显示装置的出光率和色纯度均得到有效提高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中提供的一种OLED显示器的衬底基板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法的流程图;
图5为本发明实施例提供的另一种显示基板的制作方法的流程图。
附图标记:
10-阳极;20-发光层;201-发光层的下表面;202-发光层的上表面;21-侧向光;30-阴极;40-像素界定层;41-反射层;42-凸起;43-第一透明部;44-第二透明部;50-透明衬底;51-第一透明层;52-第二透明层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的