[发明专利]适合低电压操作的简单电荷泵电路有效

专利信息
申请号: 201510285462.7 申请日: 2015-05-29
公开(公告)号: CN104811034B 公开(公告)日: 2017-07-11
发明(设计)人: 袁庆鹏 申请(专利权)人: 聚辰半导体(上海)有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 代理人: 徐雯琼,徐茂泰
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 适合 电压 操作 简单 电荷 电路
【权利要求书】:

1.一种适合低电压操作的简单电荷泵电路,其特征在于,包含级联的若干个电荷泵子单元;每一级电荷泵子单元设有三个NMOS晶体管和一对两相时钟信号,包含:

第一NMOS晶体管,作为传输开关,其漏极连接本级电荷泵子单元的输入端,源极连接本级电荷泵子单元的输出端;

第二NMOS晶体管,其漏极和栅极相连接,并连接至本级电荷泵子单元的输出端,源极连接第一NMOS晶体管的栅极;

第三NMOS晶体管,其漏极和栅极接相连接,并连接至第一NMOS晶体管的栅极,源极连接本级电荷泵子单元的输入端;

第一相时钟信号,其通过第一电容连接本级电荷泵子单元的输出端;

第二相时钟信号,其通过第二电容连接第一NMOS晶体管的栅极;所述第一相时钟信号和第二相时钟信号是互补的非交叠信号。

2.如权利要求1所述的适合低电压操作的简单电荷泵电路,其特征在于,所述NMOS晶体管为低阈值晶体管或本征晶体管。

3.如权利要求1所述的适合低电压操作的简单电荷泵电路,其特征在于,所述NMOS晶体管的P型衬底不通过深N阱隔离,且其P型衬底连接地电位。

4.如权利要求1所述的适合低电压操作的简单电荷泵电路,其特征在于,所述第二电容的电容值小于第一电容的电容值。

5.如权利要求1所述的适合低电压操作的简单电荷泵电路,其特征在于,所述简单电荷泵电路中,前一级电荷泵子单元的输出端连接到后一级电荷泵子单元的输入端,并且相邻两级电荷泵子单元对应的时钟信号相位相反。

6.如权利要求5所述的适合低电压操作的简单电荷泵电路,其特征在于,所述简单电荷泵电路用于非挥发性存储器集成电路中,提供该非挥发性存储器集成电路所需要的操作电压。

7.一种组合式电荷泵电路,其特征在于,由如权利要求1所述的两个结构相同的简单电荷泵电路并联构成,且两个简单电荷泵电路中同一级电荷泵子单元的两相时钟信号的相位相反。

8.如权利要求7所述的组合式电荷泵电路,其特征在于,所述简单电荷泵电路用于非挥发性存储器集成电路中,提供该非挥发性存储器集成电路所需要的操作电压。

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